等离子体基铜蚀刻工艺及可靠性

引言

近年来，铜(Cu)作为互连材料越来越受欢迎，因为它具有低电阻率、不会形成小丘以及对电迁移(EM)故障的高抵抗力。传统上，化学机械抛光(CMP)方法用于制备铜细线。除了复杂的工艺步骤之外，该方法的一个显著缺点是需要许多对环境不友好的化学品，例如表面活性剂和强氧化剂。

随着器件的特征尺寸不断缩小，对Cu互连线的质量、可靠性和形态的要求变得至关重要。例如，如果线的几何形状不均匀，通过它的电流将在颈缩区域附近拥挤，这缩短了EM寿命。此外，在沉积和蚀刻步骤期间形成的缺陷会导致线电阻率的增加，这违背了使用低电阻率Cu互连。当承载高电流密度时，高通量电子可以拉动Cu原子，这导致空隙形成并导致线的击穿。本文研究了溅射沉积条件对薄膜性能的影响。英思特使用EM测试方法检测由基于等离子体的蚀刻工艺制备的不同宽度的Cu线的寿命。

实验与讨论

铜膜的晶粒尺寸对其导电性和等离子体消耗速率至关重要。图1显示了压力对沉积在(a) 50W，所有的薄膜都包含(111)主峰和(200)次峰。这(220)峰仅在3毫托的低压沉积条件下可见。在相同的沉积功率下，峰高随着气压的增加而降低。Cu膜的晶粒尺寸预计会随着溅射功率的增加而增加。图1(d)显示了压力和功率对晶粒尺寸的影响。在90W下沉积的膜的晶粒尺寸大于在70W下沉积的。这可以通过在高溅射功率沉积条件下Cu吸附原子的较高表面能和迁移率来解释。