门电路介绍

最新推荐文章于 2023-05-19 16:44:08 发布

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分类专栏：数电文章标签：门电路

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一、半导体二极管门电路

二极管的等效电路（常用）：

当加到二极管两端的电压小于Von时，二极管关断；

当外加电压大于Von时，二极管导通，而且电流增大时二极管两端的电压基本不变，仍等于Von（导通压降约为0.7V）。

二、CMOS门电路

1、MOS管

共源接法(根据上面左右两图)：

栅极电流始终近似等于零（不用画输入特性曲线）；

截止区：当 $v_{I}=v_{GS} < V_{GS(th)}$ 时，此时 $i_{D}\approx 0$ ，负载电阻 $R_{D}\ll R_{OFF}$ （MOS管的截止内阻），则开关电路的输出端为高电平 $V_{OH}\approx V_{DD}$ ，MOS管的D-S间就相当于一个断开的开关；

恒流区：当 $v_{I}=v_{GS} > V_{GS(th)}$ 且 $v_{DS}$ 较高的情况下，随着 $v_{I}$ 的升高 $i_{D}$ 增加，而 $v_{O}$ 随之下降，此时电路工作在放大状态；

可变电阻区：当 $v_{I}$ 继续升高，MOS管的导通内阻 $R_{ON}$ 变得很小，只要 $R_{D}\gg R_{ON}$ ，则开关电路的输出端为低电平 $V_{OL}\approx 0$ ，MOS管的D-S间就相当于一个闭合的开关。

4种MOS管的比较

2、COMS反相器

CMOS反相器的基本电路结构如下图所示，其中T1是P沟道增强型MOS管，T2是N沟道增强型MOS管。

无论VI是高电平还是低电平，T1和T2总是工作在一个导通一个截止的状态，即所谓的互补状态，把这种电路结构形式称为互补对称式金属—氧化物—半导体电路（简称CMOS电路）。

3、漏极（D）开路输出门电路（OD门）

Y = (AB)'

输出电路是一个漏极开路的N沟道增强型MOS管TN，门电路符号内的菱形记号表示OD输出结构，菱形下方的横线表示输出低电平时为低输出电阻。

OD门工作时必须将输出端经上拉电阻RL接到电源上，且满足TN的截至内阻ROFF>>RL>>TN的导通内阻RON。因为VDD2可以选为不同于VDD1的数值，所以就很容易将输入的高、低电平VDD1/0 V变换为输出的高、低电平VDD2/0 V了。

OD门的另一个重要应用是可以将几个OD门的输出端直接相连，实现线与逻辑，如下图所示。

此时，

Y = Y1 · Y2 = (AB)'(CD)' = (AB + CD)'

这样就将2个OD输出与非门接成了一个与或非电路，逻辑符号如上图所示。

4、CMOS传输门

如下图所示，T1是N沟道增强型MOS管，T2是P沟道增强型MOS管。T1和T2的源极（S）和漏极（D）分别相连作为传输门的输入端和输出端，而栅极（G）上的C和C'是一对互补信号。

设控制信号C和C'的高、低电平分别为VDD和0 V，那么有：

当C = 0、C' = 1时，只要输入信号的变化范围不超过0~VDD，则T1和T2同时截止，输入和输出之间呈高阻态，传输门截止（Vo = Z）；

当C = 1、C' = 0时，在RL远大于T1、T2的导通电阻和输入信号电压在限定范围内的情况下，T1、T2至少有一个是导通的，使输出和输入间呈低阻态，传输门导通(Vo = Vi)。

而且，由于是对称结构，CMOS传输门属于双向器件，它的输入端和输出端可以互易使用。

传输门的另一个重要用途是作模拟开关，用来传输连续变化的模拟电压信号。其基本电路是由CMOS传输门和一个CMOS反相器组成的，而且也是双向器件，如下图所示。

5、三态输出的CMOS门电路

输出三种状态：高电平、低电平和高阻态。

三态输出反相器，也叫输出缓冲器，其电路结构和逻辑符号如下图所示：

当EN' = 0时，Y = A'，反相器处于正常工作状态；

当EN' = 1时，Y = Z（高阻态）。

反相器符号内的三角形记号表示三态输出结构，EN'输入端处的小圆圈表示EN'为低电平有效信号，即只有在EN'为低电平时，电路方处于正常工作状态。

三、TTL门电路

1、双极型三极管BJT（两种）

输入输出特性：

输入特性曲线： $V_{ON}$ 为开启电压，硅三极管为0.5~0.7V，锗元三极管为0.2~0.3V；

输出特性曲线：

截止区：当 $v_{I}<V_{ON}$ 时，此时 $i_{B}\approx 0$ ， $i_{C}\approx 0$ ，三极管已处于截止状态，开关电路的输出端为高电平 $V_{OH}\approx V_{CC}$ ；

放大区（线性区）：当 $v_{I} > V_{ON}$ 时， $i_{C}$ 随 $i_{B}$ 正比变化，电流放大系数 $\beta = \Delta i_{C}/\Delta i_{B}$ ，另外 $i_{B}=\frac{v_{I}-V_{ON}}{R_{B}}$ ， $v_{O}=v_{CE}=V_{CC}-i_{C}R_{C}=V_{CC}-(\beta i_{B})R_{C}$ ，随着 $v_{I}$ 升高 $i_{B}$ 增加， $v_{O}$ 相应的减小；

饱和区： $v_{I}$ 继续升高，当 $R_{C}$ 上的压降接近于电源电压 $V_{CC}$ 时，三极管的c—e之间只有一个很小的饱和导通压降 $V_{CE(sat)}$ 和一个很小的饱和导通内阻 $R_{CE(sat)}$ ，处于深度饱和状态，此时三极管所需要的饱和基极电流 $I_{BS}=\frac{V_{CC}-V_{CE(sat)}}{\beta (R_{C}+R_{CE(sat)})}$ 。