ISSCC2021 基于SRAM的存内计算16.3阅读记录

Note：因为只是笔者的阅读记录，所以内容组织上较为混乱！（如有错误，可评论指出！谢谢！）

1、FoM指的是品质因子，Figure Of Merit

一般来说，FOM值越大，性能就越高；

本文中给出的计算公式FoM (IN-precision × W-precision × output-ratio × output-channel × EF/tAC)

2、MACV

即MAC value

3、电容C = 电荷量Q/电压V；

4、一个想法，结合SBCS部分的操作展开，这里为了得出每个分割位线上的电压结果，在开启相应的乘法部分之前，都是先将两边的GBL以及GBLB预充电到VDD1，然后在想法过程中，是通过GBL上的放电，来决定该段位线上的电压的，所以就有了权重或输入为0时，该段位线上的电压不会变化，然后在输入是123时，该段位线上的电压就会有不同程度的下降，进而可以分辨不同的输入值；但是这样呈现的结果就是，输入值越大，该段位线上电压下降越大，即产生的结果与输入值大小呈现反比的关系；

那既然每个都要放电，为什么一开始就不要预充电两边的GBL以及GBLB了，让他们都放电到0，然后输入或权值为0时，该段位线上的电压仍是0，不会发生变化，也不要像前面那样维持住预充电的电压；然后在输入为123时，可以看到，输入值越大，通过输入端充电到该段位线上的电压值就越大，其结果也是可以用来分辨不同的输入值的，而且输出（即位线上的电压）呈现出与输入呈正比的关系；

5、文章最后与之前的相关工作比较了一下，首先可以看到，之前的高精度的相关工作，在输入是8bit的时候，都是两位两位一起的形式，也就是把输入的8bit分成4份，然后依次输入，或者一次输入两份，就像这篇文章中的那样，一次输入4bit，然后在两边的分割GBL上分别完成相应2bit的计算；但是不同的是，这篇文章中进行乘法计算的单元叫SILMC，在其他工作中，其crossbar中的LCC，其输入的2bit值（显然，2bit的值可以表示4种值，所以需要输入有四种形式），是通过4-level的字线电压来实现的；

而本文就不同了，SILMC，直译就是源注入局部乘法单元，意思就是这里的2bit输入的4-level的值不再是通过调控字线电压得到的，而是直接通过输入值得到的；通过观察其运行过程，可以看到，是直接将原本的输入值送到了相应的端口，不过中间应该是经过一级取反的操作，进而使得输入输出呈现出前文中所说的反比关系。