电子技术——BJT的CV特性
本节我们研究BJT的CV特性。
电气符号和约定
下图展示了npn型和pnp型BJT的通用电气符号:
箭头表示EBJ的pn结方向。
对于在主动模式下的BJT的电流方向我们做出下面的约定:
下图表格总结上一节的电流、电压关系:
BJT特性曲线
首先我们研究BJT的互导特性曲线也就是 i C − v B E i_C-v_{BE} iC−vBE 曲线,我们知道主动模式下:
i C = I S e v B E / V T i_C = I_S e^{v_{BE}/V_T} iC=ISevBE/VT
此函数图像为:
与一个普通pn结型二极管的CV特性曲线一致。对于
i
B
i_B
iB 和
i
E
i_E
iE 与
i
C
i_C
iC 成比例,因此其图像形状也是上图所示。图中我们发现,以后我们假设在BJT处于稳定工作的模式下,此时
v
B
E
≃
0.7
V
v_{BE} \simeq 0.7V
vBE≃0.7V 。
i c i_c ic 与集电极电压的关系
以上我们说过 i c i_c ic 在主动模式下与集电极电压无关,但是实际上的BJT的CV特性曲线如下:
此时我们通过固定
V
B
E
V_{BE}
VBE 的值去绘制
i
C
i_C
iC 关于
V
C
E
V_{CE}
VCE 的曲线,我们使用的电路接法称为 共发射极配置 ,BJT的CV特性曲线也称 共发射极特性曲线 。
上一章我们说过当 V C E < 0.3 V V_{CE} < 0.3V VCE<0.3V 的时候,BJT进入饱和区,大于的时候进入主动区。但是我们观察主动模式下的曲线,仍然是一条直线,但是有一个有限的斜率,通过延长直线,我们发现所有的直线都在x轴上交于一点 − V A -V_A −VA 。参数 V A V_A VA 是一个关于BJT的常量,这个常量参数称为 厄尔利电压 。这一点和MOSFET相同。
当我们增大 V C E V_{CE} VCE 的值,这会导致BJT的耗散区体积增大,进而减小了基极的有效宽度 W W W 。回忆一下 I S I_S IS 反比于 W W W ,最终导致的是 i C i_C iC 的电流增大。这个效应称为 基极宽度调制效应 。
这个线性的关系可以通过下面的式子进行描述:
i C = I S e v B E / V T ( 1 + v C E V A ) i_C = I_S e^{v_{BE}/V_T}(1 + \frac{v_{CE}}{V_A}) iC=ISevBE/VT(1+VAvCE)
图像中直线的斜率称为BJT的 输出阻抗 ,通过计算:
r o ≡ [ ∂ i C ∂ v C E ∣ v B E = c o n s t ] − 1 = V A + V C E I C r_o \equiv [\frac{\partial i_C}{\partial v_{CE}}|_{v_{BE = const}}]^{-1} = \frac{V_A + V_{CE}}{I_C} ro≡[∂vCE∂iC∣vBE=const]−1=ICVA+VCE
这里 V C E V_{CE} VCE 和 I C I_C IC 是图像上的坐标点,还可以写作:
r o = V A I C ′ r_o = \frac{V_A}{I_C'} ro=IC′VA
这里 I C ′ I_C' IC′ 是忽略厄尔利效应下的集电极电流:
I C ′ = I S e v B E / V T I_C' = I_S e^{v_{BE}/V_T} IC′=ISevBE/VT
BJT的输出阻抗可以通过下面的电路图进行描述:
另外一种共发射极的特性描述
另外一种共发射极的特性描述是将BJT的基极接入恒流源,如图所示:
此时固定
I
B
I_B
IB 的值,测量
i
C
−
v
C
E
i_C-v_{CE}
iC−vCE 的图像:
在图中,Q点是我们的工作点,此时
i
B
i_B
iB 与
i
C
i_C
iC 成比例,比值为
β
\beta
β 。
我们放大饱和区的图像如下图:
在饱和区的图像斜率更加陡峭,表现出一个较低的输出阻抗为:
R C E s a t ≡ ∂ v C E ∂ i C ∣ i B = I B , i C = I C s a t R_{CEsat} \equiv \frac{\partial v_{CE}}{\partial i_C} |_{i_B = I_B,i_C = I_{Csat}} RCEsat≡∂iC∂vCE∣iB=IB,iC=ICsat
通常在几欧姆左右,有时候,为了方便,通常把这颗电阻忽略,用等效电压源代替:
上图称为饱和区模型,EBJ的电压仍假设为0.7V,而BJT的的CE端表现出一个压降为0.2V的恒压源。