电子技术——BJT的CV特性

电子技术——BJT的CV特性

本节我们研究BJT的CV特性。

电气符号和约定

下图展示了npn型和pnp型BJT的通用电气符号：

箭头表示EBJ的pn结方向。

对于在主动模式下的BJT的电流方向我们做出下面的约定：

下图表格总结上一节的电流、电压关系：

BJT特性曲线

首先我们研究BJT的互导特性曲线也就是 $i_C-v_{BE}$ 曲线，我们知道主动模式下：

$$i_C=I_S{e}^{v_{BE}/V_T}$$

此函数图像为：

与一个普通pn结型二极管的CV特性曲线一致。对于$i_B$ 和 $i_E$ 与 $i_C$ 成比例，因此其图像形状也是上图所示。图中我们发现，以后我们假设在BJT处于稳定工作的模式下，此时 $v_{BE}\simeq 0.7V$ 。

$i_c$ 与集电极电压的关系

以上我们说过 $i_c$ 在主动模式下与集电极电压无关，但是实际上的BJT的CV特性曲线如下：

此时我们通过固定 $V_{BE}$ 的值去绘制 $i_C$ 关于 $V_{CE}$ 的曲线，我们使用的电路接法称为 共发射极配置 ，BJT的CV特性曲线也称 共发射极特性曲线 。

上一章我们说过当 $V_{CE}<0.3V$ 的时候，BJT进入饱和区，大于的时候进入主动区。但是我们观察主动模式下的曲线，仍然是一条直线，但是有一个有限的斜率，通过延长直线，我们发现所有的直线都在x轴上交于一点 $-V_A$ 。参数 $V_A$ 是一个关于BJT的常量，这个常量参数称为 厄尔利电压 。这一点和MOSFET相同。

当我们增大 $V_{CE}$ 的值，这会导致BJT的耗散区体积增大，进而减小了基极的有效宽度 $W$ 。回忆一下 $I_S$ 反比于 $W$ ，最终导致的是 $i_C$ 的电流增大。这个效应称为 基极宽度调制效应 。

这个线性的关系可以通过下面的式子进行描述：

$$i_C=I_S{e}^{v_{BE}/V_T}(1+\frac{v_{CE}}{V_A})$$

图像中直线的斜率称为BJT的 输出阻抗 ，通过计算：

$$r_o\equiv [\frac{\partial i_C}{\partial v_{CE}}{|}_{v_{BE=const}}{]}^{-1}=\frac{V_A+V_{CE}}{I_C}$$

这里 $V_{CE}$ 和 $I_C$ 是图像上的坐标点，还可以写作：

$$r_o=\frac{V_A}{I_C^{\prime }}$$

这里 $I_C^{\prime }$ 是忽略厄尔利效应下的集电极电流：

$$I_C^{\prime }=I_S{e}^{v_{BE}/V_T}$$

BJT的输出阻抗可以通过下面的电路图进行描述：

另外一种共发射极的特性描述

另外一种共发射极的特性描述是将BJT的基极接入恒流源，如图所示：

此时固定 $I_B$ 的值，测量 $i_C-v_{CE}$ 的图像：

在图中，Q点是我们的工作点，此时 $i_B$ 与 $i_C$ 成比例，比值为 $\beta$ 。

我们放大饱和区的图像如下图：

在饱和区的图像斜率更加陡峭，表现出一个较低的输出阻抗为：

$$R_{CEsat}\equiv \frac{\partial v_{CE}}{\partial i_C}{|}_{i_B=I_B,i_C=I_{Csat}}$$

通常在几欧姆左右，有时候，为了方便，通常把这颗电阻忽略，用等效电压源代替：

上图称为饱和区模型，EBJ的电压仍假设为0.7V，而BJT的的CE端表现出一个压降为0.2V的恒压源。