07 FinFET Grid

        FinFET Grid是一种设计格点，介绍该格点之前，先介绍一下什么是FinFET技术。

        FinFET称为鳍式场效应晶体管（Fin Field-Effect Transistor；FinFET）是一种新的互补式金属半导体（CMOS）晶体管。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名是根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。闸长以可小于25纳米，未来预计可进一步缩小至9nm。这种突破，可以使未来芯片设计人员有望将超级计算机设计成只有指甲搬大小。

        FinFET是源自于传统标准的晶体管-场效应晶体管（Field-Effect Transistor）的一种创新设计。简单的来说，是一种新型的3D多闸道晶体管，采用FinFET设计技术，可以很大的提高芯片处理速度以及大幅度降低功耗，这在当今注重低功耗设计手机芯片中尤为重要，FinFET技术是推动芯片走向16/14nm的重要节点。

        下面来介绍FinFET grid概念，这是对应于Floorplan中对应于FinFET引入的网格单元，在FinFET的设计中，所有元件（包括macro）都要对齐到FinFET grid上。它的定义在tech file中：

其中的VERTICAL和HORIZONTAL的关键字分别对应X/Y轴的pitch

因为后端工具已经把这些复杂的技术简单化的体现在软件的应用中，所以对后端工具的使用者来说非常友好