功率半导体器件设计--功率IGBT的设计

一、设计任务

1.完成1200V/10A NPT-IGBT结构参数的理论设计；

2.完成1200V/10A PT-IGBT结构参数的理论设计；

3.完成IGBT在Silvaco-TCAD当中的建模，完成网格、材料、电极、掺杂和电学特性求解的语言描述；

4. 通过比较两种不同结构的IGBT，评估节能及对环境发展的的影响

二、设计步骤

（1）根据设计要求，选择对应区域的掺杂浓度，然后根据N-区的掺杂浓度算出发生雪崩击穿对应的N-区宽度，再确定各区域的厚度，得到器件的总体宽度和厚度。选取的N-区浓度为5e13,P区浓度为1e17,N+区浓度为5e19,N区浓度为1e17,P+区浓度为1e19。总体器件长度为93um,宽度为20um。

（2）定义网格、材料和电极：根据宽度设计网格，然后定义材料，PT和NPT的电极定义都是一样的；

（3）定义掺杂：N-区均匀掺杂，其他区域高斯掺杂；

（4）设计正向阻断：将栅极与发射极短接，给集电极施加电压;设计正向导通：先给栅极施加电压,再给集电极施加电压;设计阈值电压。

（5）设计变量对阈值电压的影响：依次改变p基区掺杂浓度，沟道宽度和氧化层厚度，观察其对PT-IGBT阈值电压的影响。

三、设计思路

（1）设计器件时，先要确定器件的总体厚度及各个区域所对应的参数；注重对网格的设计；

（2）设计正向阻断时，将栅极发射极短接，逐渐增大集电极的电压，直到器件发生击穿，观察集电极电压与集电极电流之间的曲线图；

（3）设计正向导通时，栅极上施加电压为6.4V、6.6V、6.8V、7.0V、7.2V，逐渐增大集电极电压至20V，观察各门极电压下集电极电压与电流的关系。

（4）设计阈值电压时，将集电极门极短接，从0V增大集电极电压至5V，观察集电极电压与集电极电流关系。

（5）设计不同P区掺杂对阈值电压影响时，选取P区掺杂浓度为0.5e17、1e17、1.5e17，最终根据数据得出不同掺杂浓度下的阈值电压，并进行折线图对比。

（6）设计不同沟道宽度对阈值电压影响时，ratio.lat=0.5、ratio.lat=0.6、ratio.lat=0.7，观察阈值电压变化，最终根据数据得出不同沟道宽度下的阈值电压，并进行折线图对比。

（7）设计不同氧化层厚度对阈值电压影响时，选取氧化层厚度为0.05um、0.1um、0.15um，观察阈值电压变化，最终根据数据得出各个参杂浓度下的阈值电压，并进行折线图对比。

四、程序设计调试

1.PT IGBT源程序

(1)正向阻断

go atlas

mesh

x.m loc=0.00   spac=1

x.m loc=5.00   spac=0.5

x.m loc=6.0   spac=0.2

x.m loc=8.00   spac=0.5

x.m loc=10.00   spac=0.2

x.m loc=11.00   spac=0.5

#x.m loc=11.00  spac=0.2

#x.m loc=12.00  spac=0.5

#x.m loc=13.00  spac=0.2

#x.m loc=14.00  spac=0.5

#x.m loc=16.00  spac=0.8

x.m loc=20.00  spac=1

y.m loc=-0.1   spac=0.02

y.m loc=0.0    spac=0.1

y.m loc=0.6    spac=0.05

#y.m loc=1    spac=0.5

y.m loc=5.0    spac=1

y.m loc=6.0    spac=0.05

y.m loc=7.0    spac=1

#y.m loc=8.00   spac=2.0

y.m loc=10.00   spac=4.0

#y.m loc=60.00   spac=4.0

#y.m loc=65.00   spac=2.0

#y.m loc=70.00  spac=1.0

y.m loc=75.00  spac=0.5

#y.m loc=74.5  spac=0.5

#y.m loc=73.00  spac=0.2

y.m loc=93.00  spac=2

region  num=1 silicon  x.min=0  x.max=20  y.min=0.0   y.max=93.0  

region  num=2  oxide  x.min=0  x.max=20  y.min=-0.1  y.max=0     

electr  name=emitter      x.min=0   x.max=7  y.min=0  y.max=0