关于三极管

最新推荐文章于 2023-09-22 08:26:00 发布
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版权

三极管

NPN

1

8550 S8550 SS8550 的区别
	一、基极电压

8550：基极电压为为40V。

S8550：基极电压为为30V。

SS8550：基极电压为为40V。

二、最大集电极发射电压

8550：最大集电极发射电压为25V。

S8550：最大集电极发射电压为30V。

SS8550：最大集电极发射电压为25V。

三、最大集电极电流

8550：最大集电极电流为0.5A。

S8550：最大集电极电流为700mA。

SS8550：最大集电极电流为1.5A。

2

8550和8050区别
8050是NPN管 8550是PNP管
Ant?1
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NPN PNP SS8050 SS8550 S8050
u011878611的博客
01-11 2万+
半导体三极管(BJT)，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，也是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。
集电极最大允许电流是什么
07-16
如果集电极电流过大.电流放大系数p值就要下降一般把尹值下降到规定允许值(比如额定值的1/2-2/3)时的集电极电流，叫做集电极最大允许电流。
WOW！这是最大的三极管！
TSINGHUAJOKING
09-21 1149
因为它的生产时间仅仅只有三年。现在的三极管外观都标准化了，再也无法重现当年那百花齐放的形态，似乎过去设计者的脑洞实在是太大了，在三极管外观设计方面创造力自由飞翔、无拘无束。后来苏联所生产的三极管的工艺日益完善，如果你需要更大功率的三极管，只要将相应三极管晶体做大，若不是将它们进行并联。
电工-三极管主要参数（直流、交流、极限）
huahuihr的博客
09-22 576
集电极最大允许电流Icm，集电极Ic值超过一定限额β值会下降，当β下降到额定值的1/2～2/3时的Ic值称Icm，正常工作时不允许超过Icm。集电极—基极反向截止电流Icbo，Ic=0时，基极和集电极间加规定反向电压时的集电极电流。Icb越小，说明三极管的集电结质量越好。集电极—发射极反向截止电流Iceo（穿透电流），Ib=0时，集电极—发射极之间在规定反向电压时的集电极电流。共发射极交流放大倍数β=△Ic/△Ib，其中△Ib是Ib的变化量，△Ic时Ic对应的变化量，三极管β值一般以20～100之间为好。
晶体三极管的主要参数
effort0806222的博客
01-17 5934
晶体三极管的主要参数 　　三极管的参数可分为直流参数、交流参数、极限参数、特征频率。三极管的参数是使用与选用三级管时的重要依据，为此了解三极管的参数可避免选用或使用不当而引起管子的损坏。 　　(1)直流参数。 　　1)集电极—基极反向电流I(CBO)。当发射极开路、在集电极与基极间加上规定的反向电压时，集电结中的漏电流就称I(CBO)此值越小表明晶体管的热稳定性越好。一般小功率管约1OμA左右，
3904三极管是什么功能_你了解三极管的种类吗
weixin_39976251的博客
11-19 2645
三极管按材质分三极管种类有：硅管、错管。按三极管消耗功率的不同三极管的种类有小功率管，中功率管和大功率管等。按功能分三极管种类有开关管功率管达林顿管光敏管等。下面是对一些三极管的简述。1.低频率小功率三极管，低频率小功率三极管一般是指特征频率在3MHz以下，功率小于1w的三极管。一般作为小信号放大用；2.高频率小功率三极管，是指一般特征频率大于3MHz，功率小于1w的三极管。主要用于高频振荡，放大...
关于三极管在交流等效电路中电压不变点相当于接地的讨论
01-06
在对三极管的分析中，其交流等效变换十分重要，电路中电池（直流信号VCC）、大容量电容、导通状态的二极管、导通状态的稳压管、导通状态的三级管BE极，多数情况下都可以认为交流阻抗为0，其两端交流等电位。...
关于三极管使用方法说明
07-13
三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。 1. 三极管工作状态的判断方法：  分析电路时，判断三极管的...
关于三极管的工作状态
07-13
三极管的工作状态 三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的三极管的三种状态也叫三个工作区域 1. 截止状态  当加在三极管发射结的电压小于PN结的导...
关于三极管作为RS232电平转换进行通信的一点个人总结
08-02
接着，作者展示了另一个电路设计（图5），这个设计利用串口的电气特性来为三极管供电，但在实际操作中，由于串口某些引脚的电压高于三极管的供电电压，导致三极管始终处于导通状态，无法正常工作，因此通信失败。...
SS8550.pdf
06-16
• Complimentary to SS8050 • Collector Current: IC=1.5A • Collector Power Dissipation: PC=1W (TC=25×C)
SS8550三极管规格书：三极管SS8550参数与封装尺寸.pdf
09-27
SS8550三极管规格书：三极管SS8550参数与封装尺寸.pdf
s8550 s8050三极管数据手册.rar
07-21
/******************************************************/ technical adj. 技术上的 specification n. 说明书 规格 详述 plastic-encapsulate 塑料封装的 (塑料-将...装进内部) transistor n. 晶体管 triode n. 三极管 /******************************************************/ feature n. 特征 excellent adj. 杰出的，极好的 linearity n. 线性(线性度) （excellent linearity 良好的线性） /******************************************************/ maximum ratings 最大额定参数 (maximum 最大值 最大的，ratings 参数.评级) Ta= ambient temperature 环境温度 unless otherwise noted 除非另外注明 symbol n. 符号 标号 parameter n. 参数 value n. 值 truth-value 真值 unit n. 单位 collector-base voltage 集电极-基极电压 Ucbo(Vcbo) collector-emitter voltage 集电极-发射极电压 Uceo(Vcbo) emitter-base voltage 发射极-基极电压Uebo(Vebo) collector current continuous 集电极连续电流 collector dissipation 集电极损耗 (dissipation n. 损耗)Pc junction temperature 接点温度，接面温度Tj(junction 接合，连接，交叉点，接合点，总而言之就是空间立体上的一个可以近似于点的接触面) junction and storage temperature 表面与内部温度Tstg /********************************************************/ electrical characteristices 电气特性 collector-base breakdown voltage 集电极-基极击穿电压 V(br)cbo collector-emitter breakdown voltage 集电极-发射极击穿电压V(br)ceo emitter-base breakdown voltage 发射极-基极击穿电压V(br)ebo collector cut-off current 集电极截止电流Icbo collector cut-off current 集电极截止电流Iebo emitter cut-off current 发射极截止电流Iebo open circuit 开路 DC current gain 直流电流增益 collector-emitter saturation voltage 集电极-发射极饱和电压 base-emitter saturation voltage 基极-发射极饱和电压 transition frequency 转移频率(transition 转换) /********************************************************/ classification of hFE(1) [共发射极 低频 小信号 输出交流 短路电流 放大系数]的等级 (classification 分类，等级) rank 等级 range 范围 （范围，幅度） /********************************************************/ typical characteristics 典型特征 (typical 典型的，特有的) static characteristic 静态特性 capacitance 电容 reverse voltage 反向电压 (reverse 反向的) collector power dissipation 集电极功率损耗 Pc ambient temperature 环境温度 (ambient 周围的 环境的) Ta
关于三极管的开关速度
07-17
三极管的开关速度指的是三极管从导通状态转换到截止状态，以及从截止状态转换到导通状态的速度。这种速度直接关系到电子电路的响应时间和工作频率，因此，在设计高速电子电路时，理解并掌握如何提高三极管的开关速度...
三级管简介
weixin_54441404的博客
03-08 2192
三极管是电子电路中最重要的器件，它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管按材料分有两种：锗管和硅管。但使用最多的是硅管。PNP和NPN两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。常见的三极管为9012、s8550、9013、s8050.单片机应用电路中三极管主要的作用就是开关作用。其中9012与8550为pnp型三极管，可以通用。
s8550引脚图与电路图汇总分析
weixin_30412013的博客
06-12 1万+
s8550作为音频放大器，应用于收录机、电动玩具等电子产品。三极管8550是一种常用的普通三极管。 它是一种低电压，大电流，小信号的PNP型硅三极管。最大集电极电流为0.5 A。 　　S8550参数如下： 　　1、VCBO -30 V 　　2、VCEO -20 V 　　3、VEBO -5 V 　　4、Pc 1 W 　　5、Ic -700 mA 　　S8550特点： 　　耗散功率 P...
小功率直流电机的驱动电路
记录自己工作生活中遇到的问题
12-29 6306
## 用 s8050 驱动微型130电机转动 反接的二极管用于防止电机突然停止产生的大电动势对电路造成破坏； 电阻值不能太大，不然 s8050 集电极电流太小，带不动电机； 如果单片机管脚电压不够可以直接将 1，2 端口通过上拉电阻将电压拉高。 ## 用 s8050 和 s8550 驱动微型130电机正反转，通过 1，2 端口输入占空比不同的 PWM 可以实现调速。 注意：1，2 端口的电压范围为4.5V —— VCC； 如果单片机管脚电压不够可以直接将 1，2...
应用电路笔记（1）-三极管8550和8050应用
热门推荐
a_moon的博客
04-16 3万+
（以下内容是a_moon入门期间整理的一些学习笔记，希望以此记录和积累经验。如果有什么错误的地方，还请各大博友和游客指正。讲述的不深，关键在于应用）  近期用到了两种型号的三极管——8550（PNP）和8050（NPN），下图来看看两种型号的管脚图，基本上基极（B）、发射极（E）、集电极（C）管脚排序没有差异，正对封装的平面，从左到右分别为发射极（E）、基极（B）、集电极（C）。 下图为两
三极管使用详解
toywang123的博客
07-11 8128
PNP型的三极管使用方法 常见的三极管为9012、s8550、9013、s8050.单片机应用电路中三极管主要的作用就是开关作用。其中9012与8550为pnp型三极管，可以通用。其中9013与8050为npn型三极管，可以通用。PNP与NPN两种三极管各引脚的表示： 三极管在我们数字电路和模拟电路中都有大量的应用，在我们开发板上也用了多个三极管。在我们板子上的 LED 小灯部分，就有这个三...
s8550放大电路
最新发布
04-01
### S8550 放大电路设计及相关资源 S8550 是一种常见的 PNP 型三极管，广泛应用于音频放大和其他低功率应用领域。以下是关于其设计原理图和数据手册的相关信息。 #### 数据手册获取 对于 S8550 的具体参数和技术细节，可以参考官方发布的数据手册。这些文档通常由制造商提供，包含了诸如电流增益 (hFE)、最大集电极电流、电压范围以及其他电气特性的重要信息[^1]。如果无法直接访问制造商官网，可以通过第三方电子元器件供应商网站或者技术论坛查找相关资料。例如，在一些开源硬件社区中也可能会有整理好的 PDF 文件供下载[^2]。 #### 设计原理图 针对基于 S8550 的放大电路设计，可以从以下几个方面入手： - **基础放大结构** 使用单个 S8550 构建共射极配置是最简单的形式之一。这种拓扑能够实现一定的电压增益并具备良好的线性度。需要注意的是偏置电阻的选择至关重要，它决定了静态工作点的位置从而影响整体性能表现[^3]。 - **多级联接方式** 当单一晶体管不足以满足目标需求时，则需考虑采用两级甚至更多级数串联起来形成复合型放大器架构。这样不仅可以提升总增益还能改善频率响应特性等指标。 下面给出一段 Python 脚本用于计算典型情况下所需元件数值作为辅助工具： ```python def calculate_resistor(vcc, vceq, icq, beta): """ 计算基极偏置电阻值 参数: vcc -- 集电源电压(V) vceq -- Q点集电极-发射极间直流电压降(V) icq -- 工作状态下的集电极电流(mA) beta -- 晶体管当前工作的电流增益(无单位) 返回: rb_value -- 推荐使用的基极限流电阻(kΩ)，保留两位小数 """ ie = icq / 1e3 * (beta + 1) / beta vb = vceq + 0.7 rb_value = round((vcc - vb) / ie / 1e3 , 2) return rb_value if __name__ == "__main__": VCC = float(input("请输入VCC值：")) VCEQ = float(input("请输入期望的VCE(Q)值：")) ICQ = float(input("请输入IC(Q)值（mA）：")) BETA = int(input("请输入β值：")) result = calculate_resistor(VCC,VCEQ,ICQ,BETA) print(f"推荐Rb={result}kΩ") ``` 通过上述程序可以帮助快速估算出合适的上拉电阻大小以便于搭建初步原型验证环境之前做好准备功课。 ---
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