计算机组成原理【4】存储系统

一 存储系统的基本概念

1、存储器分类

2、存储器的层次结构

3、半导体存储器组成

1. 半导体存储器的基本组成
   
   线性译码就是只有一个译码器，缺点是存储体难以实现。多重译码就是有多个译码器。
2. 半导体存储器的抽象逻辑
   
   注意下面两条写的，俩线与内部的换算。

4、半导体存储器的底层逻辑

4.1 静态RAM存储元结构

存储元：底层电路里一个基本的单元电路。一个存储元可以存储一位数据。

触发器 连接、负载连接、门控连接。（上图）

存储一位二进制数需要6个三极管（触发器工作原理）。

4.2 静态RAM基本电路

4.3 静态RAM读写过程

位线：只传一位数据的线。
读——

写——

//看不懂图复习视频~

4.4 静态RAM芯片举例——英特尔2114

存储容量：1K×4，即地址线10线，数据线4位。
地址线是单向的！而数据线可读可写是双向的！
注意：CS是片选端，有效时，电路会工作。以后会讲。
WE是“写有效”，它只有两种状态，要么写有效，要么“读有效”。

4.5 动态RAM：三管

静态RAM又称SRAM，动态RAM又称为DRAM。

DRAM因为有个预充电过程，所以读出速度比SRAM慢。

4.6 单管DRAM

电路结构越简单，容量越大！现在用的DRAM几乎都是这种。

4.7 动态RAM的刷新 + Intel 1103

1. 动态RAM的刷新
   原因：利用极间电容存储数据，电容会自放电
   周期：2ms，超过2ms不重新写入，原数据不可读
   方式：按行（或列）完成，即一次刷新完一行（或一列）
   （1）集中式刷新
   集中一段时间逐行刷新完整个存储阵列（由于刷新时无法进行读写操作，此段时间亦称为死时间）
   特点：实现简单（定时电路按时触发）、存在死时间
   （2）分散式刷新
   扩展每个存储周期，读写操作后自动刷新一行（因此新的存储周期是原来的2倍）
   特点：对外无死时间、速度变慢、刷新操作过于频繁
2. 英特尔1103
   

4.8 DRAM刷新

死时间率：这个系统有3.2%的时间无法工作。

第二种方式消除了死时间率！

4.9 静态RAM vs 动态RAM

最基本的，他俩都可以 读和写 ！

4.10 只读存储器ROM

关键词：
掩膜（MROM）—— 一旦芯片封装完，所有数据都不能改，所有MROM是真正意义上的ROM。由芯片厂家进行数据写入。

可编程ROM（PROM） --> 可擦除PROM（EPROM）
这两种都是由用户进行数据写入。

此外，还有电可擦除PROM（EEPROM），它操作简单，但比较慢。
然后就有了快擦电路——闪存（高速EEPROM，如u盘）

回看视频~

二 主存储器

1、主存容量的扩展

主存大多是由多片DRAM芯片构成。进行扩展有三种情况：

2、存储芯片与CPU的连接

//看不懂···
//视频课里放了两道例题的讲解视频！！
//把视频讲的两个例题和教材上的4.2都弄明白，CPU和存储器连接这块就差不多可以了

3、存储校验

两道例题——

4、主要技术指标及地址说明

5、提高访存速度的措施