MOS管开通过程和关断过程和简单恒流源电路解释

最近在做恒流源电路,也没有设计,直接抄的论文的电路。。。

  

咋说呢,电路本身分析不难,有负反馈,虚短虚断直接用很容易得出激光的电流

i=Vin/R4

但是呢,我之前一直搞不懂它是怎么达到稳态的,就是说负反馈是如何作用使得电路稳定,因为我之前一直任务MOS管只要栅源电压超过阈值,ids的电流就直接由Vgs决定,那样mos管一开始就饱和了呀。。。后来才发现mos管是有开通和关断时间的。

所谓开通时间,由两部分组成:延迟时间td(on)和上升时间tr,关断时间类似:延迟时间和下降时间

开通时间是指,当栅源间加电压,由于栅极电容的存在需要一个充电的过程才能达到栅源的开启电压,这也是td(on)的时间,然后MOS管就导通了,注意,这时候ids的电流并不是突变的,是缓慢上升的,当ids上升到稳态的时间记作tr上升时间。

关断时间类似,因为电容需要放电,且同样电流需要下降的过程。

这也就解释了为何第一幅图的恒流源电路成立,因为mos管开启时,并不会说反向输入端此时无输入会达到饱和,电流是一个缓慢上升的作用,此时负反馈就可以引用到反相输入端达到控制电流的作用。

<think>好的,我现在需要帮助用户分析MOS管在线性区区时的波形特性差异。首先,我得回顾一下MOS管的基本工作区域以及它们的特性。 根据用户提供的引用资料,MOS管有三个主要工作区:关断区、线性区(也称为可变电阻区)区(恒流区)。用户提到想了解在线性区区时的波形特性差异,所以我需要分别分析这两个区域的特性,并比较它们在不同应用中的波形表现。 首先,线性区的特点是当Vgs大于阈值电压,且Vds较低时,MOS管处于可变电阻区。此时,漏极电流Id与Vds呈线性关系,电阻Rds由Vgs控制。这意味着当Vgs固定时,Id随Vds线性变化,Rds是一个可变电阻。在这个区域,MOS管类似于一个可控电阻,导通损耗较大,通常用于开关状态中的导通阶段或者某些放大电路。 然后是饱区,当Vgs足够高且Vds较高时,MOS管进入饱区。此时Id主要受Vgs控制,几乎不随Vds变化,呈现恒流特性。跨导gm在这里起主要作用,Id由Vgs决定,适用于放大信号,因为此时MOS管可以作为电压控制电流源。 接下来需要考虑波形特性。例如,在开关电源的应用中,MOS管作为开关使用时,导通时可能处于线性区,此时Vds迅速下降,Id上升,但由于处于可变电阻区,导通电阻Rds较低,所以Vds较低,Id较大。当完全导通后,可能进入饱区,但根据引用中的描述,开关应用中的导通状态可能更多是在线性区,而饱区可能出现在放大电路中。 但这里可能存在混淆,因为引用中提到MOS管的饱区也称为恒流区或放大区,而线性区是可变电阻区。因此,在作为放大器使用时,MOS管工作在饱区,此时Id由Vgs控制,Vds的变化对Id影响较小,因此输出波形较为稳定,失真小。而在开关应用中,当MOS管完全导通时处于线性区,此时Rds较小,Vds较低,Id由外部电路决定。 关于波形特性差异,比如在开关过程中,当MOS管处于线性区时,Vds的波形会迅速下降,而Id迅速上升,但由于处于可变电阻区,VdsId之间存在线性关系。而在饱区,比如在放大电路中,输入信号Vgs的变化会引起Id的变化,而Vds的变化对Id影响较小,因此输出电流波形更跟随输入电压的变化,具有放大作用。 还需要参考用户提供的引用内容,特别是图3中的米勒平台效应。在导通过程中,当Vgs达到米勒平台时,Vds开始下降,此时MOS管可能处于线性区区的过渡阶段。在米勒平台期间,栅极电压维持不变,驱动电流用于对米勒电容充电,导致Vds的变化,而Id则可能进入饱区,保持相对稳定。 总结起来,线性区区的波形差异主要体现在VdsId的关系上。在线性区,VdsId呈线性,波形变化较为剧烈;在饱区,Id趋于稳定,受Vgs控制,波形更平滑。同时,在开关应用中,导通阶段可能涉及这两个区域的转换,导致特定的电压电流波形变化。 需要确保引用用户提供的参考文献,特别是引用[1][2]中提到的内容,比如MOS管的输出特性曲线、米勒平台效应以及不同区域的定义。同时,要区分三极管MOS管在饱区命名的不同,避免混淆。 最后,生成的相关问题需要围绕用户可能感兴趣的扩展点,如开关过程中的损耗、跨导的影响、区域转换的条件等。</think>### MOS管线性区与饱区波形特性差异分析 #### 1. **线性区(可变电阻区)波形特性** 当$V_{gs} > V_{th}$且$V_{ds}$较低时,MOS管处于线性区。此时: - **电流-电压关系**:$I_d$与$V_{ds}$近似为线性关系,满足$I_d = k \cdot (V_{gs} - V_{th}) \cdot V_{ds}$[^1]。 - **电阻特性**:漏源极间等效电阻$R_{ds}$由$V_{gs}$控制,$V_{gs}$越大,$R_{ds}$越小。 - **波形表现**: - 在开关过程中,若MOS管处于线性区,$V_{ds}$会快速下降至接近零,而$I_d$迅速上升(由外部电路阻抗决定)。 - 在放大电路中,若偏置在线性区,输出波形会因$R_{ds}$随$V_{gs}$变化而产生明显失真[^2]。 #### 2. **饱区(恒流区)波形特性** 当$V_{gs} > V_{th}$且$V_{ds} > V_{gs} - V_{th}$时,MOS管进入饱区。此时: - **电流-电压关系**:$I_d$由$V_{gs}$主导,满足$I_d = \frac{1}{2} k \cdot (V_{gs} - V_{th})^2$,与$V_{ds}$基本无关[^1]。 - **恒流特性**:$I_d$趋于稳定,$V_{ds}$变化对电流影响极小。 - **波形表现**: - 在放大电路中,输出电流$I_d$随输入电压$V_{gs}$变化,波形线性度好,适合信号放大。 - 在开关过程中,若短暂进入饱区,$I_d$会保持恒定,$V_{ds}$需通过外部电路调整。 #### 3. **关键差异对比** | **特性** | **线性区** | **饱区** | |----------------|--------------------------------|--------------------------------| | **控制关系** | $I_d$与$V_{ds}$线性相关 | $I_d$由$V_{gs}$主导 | | **电阻特性** | $R_{ds}$可变,受$V_{gs}$控制 | 等效电阻极高,呈现恒流特性 | | **应用场景** | 开关导通状态、低压降场景 | 信号放大、恒流源设计 | | **波形失真** | 易受$V_{ds}$变化影响,失真较大 | 波形线性度高,适合高保真放大 | #### 4. **开关过程中的波形变化示例** 以MOS管导通过程为例(见图3): 1. **$t_1-t_2$阶段**:栅极电容充电,$V_{gs}$上升至阈值$V_{th}$,$I_d$开始增大。 2. **$t_2-t_3$阶段(米勒平台)**:$V_{ds}$快速下降,MOS管从饱区过渡到线性区,$I_d$达到最大值。 3. **$t_3$之后**:完全进入线性区,$V_{ds}$降至最低,导通损耗主要由$R_{ds}$决定[^2]。 --- ###
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