CMOS门电路

数电的基础知识隔时间太久全忘光了，前几天面试被问麻了，回过头来再看一下。

一、逻辑代数运算符号

（数字电子技术基础P21）

与、或、非

真值表如下：

与非、或非、与或非

真值表如下：

异或、同或

异或逻辑与同或逻辑的真值表如下：

二、门电路

（数字电子技术基础第三章）

MOS管的结构

如图所示是MOS管的结构示意图和符号，在P型半导体衬底上制作两个高掺杂浓度的N型区，形成MOS管的源极S和漏极D。第三个电极称为栅极G，通常用金属铝或多晶硅制作。栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔开。

MOS管的四种类型

CMOS反相器

CMOS反相器的电路结构与电路图如下所示，其中T1是P沟道增强型MOS管，T2是N沟道增强型MOS管。

特点：

1. 无论输出高、低电平，均有一管导通。
2. T1、T2必有一个截止，功耗低。

用 MOS 管搭出二输入与非门、或非门

与非门：上面两个 PMOS 并联，下面两个 NMOS 串联。
或非门：上面两个 PMOS 串联，下面两个 NMOS 并联。
（与非门：上并下串 或非门：上串下并）

在CMOS电路中可以增加缓冲级，即在门电路的每个输入端、输出端各增设一级反相器。

OD门

在CMOS电路中，为了满足输出电平变换、吸收大负载电流以及实现线与连接等需要，有时将输出级电路结构改为一个漏级开路输出的MOS管，构成漏级开路输出门电路，简称OD门。

• OD门工作时必须将输出端经上拉电阻RL接到电源上。
• 将几个OD门的输出端直接相连，可以实现线与逻辑。比如下图中的例子，用两个OD输出与非门接成线与逻辑，从而形成一个与或非电路。

CMOS传输门

利用P沟道MOS管和N沟道MOS管的互补性可以接成如下图所示的CMOS传输门。

T1是N沟道增强型MOS管，T2是P沟道增强型MOS管。因为T1和T2的源级和栅极在结构上是完全对称的，所以栅极的引出端画在栅极的中间。T1和T2的源极和漏级分别相连作为传输门的输入端和输出端。

三态输出的CMOS门电路

三态输出门电路的输出除了有高、低电平这两个状态以外，还有第三个状态——高阻态。下图是三态输出反相器的电路结构图。因为这种电路结构总是接在集成电路的输出端，所以也将这种电路称为输出缓冲器。

EN’为三态控制端。EN’=1时，不管A的状态如何，G4输出高电平而G5输出低电平，T1和T2同时截止，输出呈现高阻态。