电力电子技术学习笔记（十）：双极型功率晶体管

第3章 高频功率半导体器件（下）——全控型器件

3.3 双极型功率晶体管

3.3.1 基本结构与工作原理

BJT--Bipolar Junction transistor，双极型功率晶体管 。

BJT由三层半导体、两个 PN 结构成，分为 NPN 型和 PNP 型两类。

N-漂移区的电阻率和厚度决定器件的阻断能力

电阻率高、厚度大，阻断能力强

增大了导通饱和电阻

降低了电流增益（β=5~20）

NPN型BJT共射极电路：

基极电流

集电极电流

集-射极电压

临界饱和基极电流

过驱动系数

3.3.2 BJT的稳态特性

输入特性：

与二极管 PN 结的正向伏安特 性曲线相似。

当 Uce大于 2V 后，Uce数值的改变对输入特性曲线影响很小。

输出特性：

在截止区，BJT 基极电流为零，两个 PN 结都反偏。

在放大区，基极电流大于零，b-e 结正偏，b-c 结反偏。

在饱和区，两个 PN 结都正偏。

3.3.3 BJT的动态特性

3.3.4 BJT的主要参数

额定电压 U(BR)CE：指集电极-发射极之间的正向击穿电压值。

额定电流（最大允许电流）ICM：一般根据最大集电极电流的 1.5 倍来选择额定电流。

饱和压降 UCES：是指在规定集电极电流和基极电流（或 ODF）下的集-射极之间的饱和压降。

最大耗散功率 PCM：是指在最高工作温度下允许的耗散功率。

二次击穿曲线与安全工作区（Safe Operation Area，SOA）： 二次击穿是 BJT 特有的现象。一次击穿是雪崩击穿。二次击穿是永久性损坏。