第3章 高频功率半导体器件
3.1 功率半导体器件分类
功率半导体器件分类 | |||
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按可控性分类 | 不可控:功率二极管 | 半控型:晶闸管及其派生 | 全控型:BJT、MOSFET、IGBT |
按驱动信号分类 | 电压驱动型: MOSFET、IGBT | 电流驱动型: BJT | |
按载流子导电情况 | 单极型: MOSFET | 双极型:晶闸管、BJT、IGBT |
3.2 功率二极管
3.2.1 基本结构与工作原理
功率二极管由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成 。常用于整流、续流和电压箝位等。
两种半导体:P型(空穴型)N型(电子型)
一个区:由不能移动的带电离子组成空间电荷区
两种运动:由于浓度差引起多子的扩散运动。在内电场作用下少子产生漂移运动
一个PN结:扩散运动和漂移运动的动态平衡
单向导电性:
PN结示意图
(1)正向导通:
内电场被削弱,耗尽层变窄。扩散占优势。PN 结呈现的电阻很小,称为正向导通。
(2)反向截止:
内电场被加强,耗尽层变宽。漂移占优势。PN 结呈现的电阻很大,称为反向截止。
电导调制效应(Webster效应):在大注入时基区电导增大的现象。
3.2.2 二极管的稳态特性
门坎电压 Uth:当外加电压大于Uth 时,二极管导通,此后电流迅速上升。
反向饱和电流Is:当外加反向电压时,二极管反向截止,只有微小而恒定的反向漏电流Is 。
击穿电压 UB:当反向电压超过UB后,二极管将被击穿,反向电流迅速增加。分为雪崩击穿、齐纳击穿;可能导致热击穿。
功率二极管伏安特性曲线
** ** | 正向导通 | 反向截止 | 反向击穿 |
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电流 | 正向大 | 微小电流Is | 反向大 |
电压 | 1V左右 | 反向大 | 反向大 |
阻态 | 低阻态 | 高阻态 | —— |
3.2.3 二极管的动态特性☆
反向恢复特性:当处于正向导通的二极管突然施加反压时,它不能立即关断,而是需经过一段时间才能恢复反向阻断能力并进入完全关断状态,这个过程称为反向恢复。
原理:(1)结电容效应CJ :二极管的结电容(势垒电容+扩散电容)(2)Q :结电容存储电荷
前提条件:(1)二极管处于正向导通状态;(2)导通过程中突然施加反向电压
功率二极管的反向恢复过程
考虑结电容的二极管模型
[0,t1]
在t1时刻之前,二极管正向导通,uD=UF。
在 t1 时刻,Udc突然反向,iD开始下降。由于回路中的电感L,iD不会瞬时下降到零,二极管仍处于导通状态。
[t1,t2]
在 t2 时刻, iD下降至零。由于结电容存储的电荷Q 并不能立即消失, uD仍为正向导通压降 UF 。
[t2,t3]
在 t3时刻, 反向电流达到最大值 IRP ,该反向电流使存储电荷逐渐消失, uD下降至零。
[t3,t4]
二极管反向阻断能力逐渐恢复,反向等效电阻迅速增大, uD反向增大到最大值 URP后逐渐减小至稳态值 UR。当反向电流降至约 10%IRP时,近似认为反向恢复过程结束。
参数:
trr:二极管的反向恢复时间
td :延迟时间
tf :下降时间
SF:柔度系数 SF=tf/td
电压与电流交叠区产生较大的反向恢复损耗。
选择器件时,额定电压应大于电压尖峰产生的电压应力。
3.2.4 二极管的主要参数
正向导通压降 UF:在指定温度下,二极管流过某一稳态正向电流时对应的正向导通压降。
额定正向平均电流 IF☆ :在指定结温、规定散热条件下二极管允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。
反向重复峰值电压 URRM:二极管工作时所能重复施加的反向最高峰值电压(即额定电压)。使用时,通常按电路中二极管电压应力的 1.5 倍来选取二极管额定电压。
反向恢复时间 trr :从正向电流过零到反向电流下降到其峰值 10%的时间间隔。
最高允许结温 TjM 结温:PN 结不损坏所能承受的最高平均温度。