铠侠(KIOXIA)存储芯片选型和应用

Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，1989年，东芝公司（铠侠存储的前身是东芝存储）发表了NAND Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。

NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的空间内提供更高的存储容量，也就相应地降低了单位存储容量的价格。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。

1 铠侠（KIOXIA）存储公司简介

铠侠是全球存储器解决方案领导者，致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘(SSD)。东芝公司于1987年发明了NAND闪存， 2017年4月，铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司剥离，开创了先进的存储解决方案和服务，可丰富人们的生活并扩大社会的视野。铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™，正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式，其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等。其零售产品覆盖存储卡、闪存盘及固态硬盘等各类闪存产品，旨在让终端用户可以再随时随地存储其数字生活。

图1：铠侠（KIOXIA）存储芯片

2 铠侠BiCS Flash 3D闪存技术

铠侠的BiCS FLASH™是一种三维（3D）垂直闪存单元结构。 此结构使其能够超越2D（平面）闪存的容量。铠侠的TLC 3位/单元1Tb （128GB） BiCS FLASH 乃业界首创，在提升写入速度的同时也提高了擦写次数的可靠性。本公司还提供采用4位/单元、四层存储单元（QLC）技术的1.33Tb BiCS FLASH™。这是首次采用这项技术的3D闪存设备

图2：Kioxia BiCS Flash存储单元

铠侠的BiCS FLASH™ 提供1太比特（Tb）3位/单元、三层存储单元（TLC）和更高容量的QLC技术，实现了更大的芯片容量。铠侠实现了高达1.33太比特（Tb）的业界最大的单芯片容量，而且其16芯片堆叠架构可以实现高达2.66 太比特（Tb）的最大单一封装容量。

图3：Nand闪存电路结构和技术演进

3 铠侠NandFlash闪存芯片选型

1987年，铠侠发明了世界上首个NAND闪存。然后，在2007年，我们率先开发了3D闪存技术，使我们能够增加闪存的容量。今天，这项技术在改变世界各地人们的生活方面发挥着重要作用。铠侠提供各种闪存产品，以满足各种需求。

图4：铠侠的闪存产品系列

3.1铠侠SLC闪存

SLC（Single Level Cell）芯片是闪存技术中最基础的一种，每个存储单元只存储一个电荷。这种设计使得SLC芯片能够实现高速读写和多次擦写，写入次数高达10万次以上。因此SLC NAND闪存仍然是整个闪存市场不可分割的组成部分。 它的高耐久性使其非常适合用于各种对于可靠性和寿命要求非常高的消费类和工业应用。

图5：铠侠SLC闪存芯片-1

图6：铠侠SLC闪存芯片-2

图7：铠侠SLC闪存芯片-3

3.2铠侠e-MMC

KIOXIA的高性能e-MMC产品系列配备了一个集成控制器，该控制器支持符合JEDEC版本5.0/5.1的高速内存接口，无需主机处理器直接控制闪存。对于许多由于密度要求较低或处理器尚未支持UFS接口而无法迁移到最新一代UFS的应用程序来说，e-MMC仍然是一个重要的解决方案。铠侠e-MMC采用15nm工艺技术或更先进的BiCS FLASH™3D闪存制造而成，非常适合需要将e-MMC作为嵌入式存储器解决方案的广泛应用。

图8：铠侠消费/工业e-MMC产品系列

3.3 铠侠UFS

UFS采用串行接口，减少了信号引脚的数量，简化了布线。它能支持全双工操作，实现主机处理器和UFS设备之间的同时读写，带来了超高速读/写性能、低功耗和快速应用程序启动时间，大大提高了整体系统性能，并提高了移动设备的性能。KIOXIA的UFS解决方案符合JEDEC/UFS版本2.1/3.0/3.1，并将该公司的BiCS FLASH™3D闪存与JEDEC标准封装中的控制器集成，可以满足了各种数字消费产品的需求。

图9：e-MMC和UFS接口的对比

UFS 4.0融合了MIPI M-PHY 5.0 High Speed Gear 5和UniPro2.0，支持每个通道高达23.2Gbps或每个设备高达46.4Gbps的理论接口速度。UFS 4.0与UFS 3.1向后兼容，因此现有平台可以使用UFS 4.0中使用的最新一代闪存技术，同时结合所有现有的UFS 3.1功能。UFS 4.0设备的顺序读写性能分别提高了约100%和95%。

图10：铠侠消费&工业UFS2.1/3.1/4.1存储芯片

3.4 专为速度而设计：低延迟和高性能存储级内存（SCM）解决方案

因市场对灵活且价格实惠的存储级内存（SCM）解决方案的需求日益增长，铠侠开发了一种具有极低延迟、高性能特性的闪存XL-FLASH。XL-FLASH设计用于填补易失性存储器（如DRAM）和当前闪存之间存在的性能缺口。XL-FLASH与所有闪存一样，能够在断开电源时保留数据。支持MLC功能的第二代XL-FLASH正在批量生产

图11：铠侠XL-FLASH存储芯片

3.5 车载级UFS和e-MMC芯片

铠侠提供多种不同容量的车载应用UFS(1) 产品线，能够满足日益复杂的车载应用数据存储需求。铠侠车载UFS可在-40至+105℃温度范围内工作，符合AEC-Q100 2级(2)的要求，并提供高可靠性，满足对高要求车载应用的需求。

图12：铠侠车规e-MMC存储芯片

2024年，铠侠推出了行业首款车载UFS 4.0，以支持下一代车载信息娱乐系统和ADAS（高级驾驶辅助系统）的发展。车载UFS 4.0的接口速度高达46.4Gbps，满足车载应用对更快加载时间的需求，包括深度3D地图绘制、更丰富的车载信息和娱乐系统以及ADAS。

图13：铠侠车规级UFS存储芯片

4 应用场景

从车载应用，到高性能个人电脑，再到超大规模数据中心以及云端服务，具备高性能、高可靠性、低延迟的铠侠存储解决方案，都能够为其保驾护航，帮助业务发挥出预期潜能。

图14：铠侠存储芯片主要应用场景

图15：移动设备和功能设备

图16：工控/安防/智能家居应用

图17：商业电子和智慧终端

图18：穿戴和网络通讯设备

图19：车载和人工智能应用

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