SI2309CDS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析

SI2309CDS-T1-GE3 （VB2658）
参数描述：
P沟道,-60V,-5.2A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-2Vth(V)；SOT23

型号参数介绍：
SI2309CDS-T1-GE3 (VB2658)参数说明：P沟道，-60V，-5.2A，导通电阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-2V，封装：SOT23。

应用简介：SI2309CDS-T1-GE3适用于低功率开关和电流控制等领域。
其低导通电阻和小封装使其在紧凑场景中表现出色。

适用领域与模块：适用于低功率开关、电流控制和模拟开关等领域模块，特别适合紧凑型应用的场景。