18NM80-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介：

VBsemi的18NM80-VB是一款单N沟道MOSFET，具有800V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS），和3.5V的阈值电压（Vth）。它采用了SJ_Multi-EPI技术，具有出色的性能和可靠性。这款MOSFET的RDS(ON)为205mΩ@VGS=10V，ID为20A，适用于多种领域和模块。

### 参数说明：

- **型号：** 18NM80-VB
- **包装：** TO220F
- **配置：** 单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）：** 800V
- **VGS（栅极-源极电压）：** 30V（±）
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **RDS(ON)：** 205mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** 20A
- **技术：** SJ_Multi-EPI

### 适用领域和模块：

1. **电源模块：** 18NM80-VB可以用于开关电源模块，提供高效率和可靠性。
2. **电动汽车充电器：** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻，这款MOSFET适用于电动汽车充电器，可实现高效率的充电。
3. **工业电机驱动器：** 在工业电机驱动器中，这款MOSFET可以提供可靠的开关控制和低损耗。
4. **太阳能逆变器：** 18NM80-VB的高电压和低导通电阻使其成为太阳能逆变器的理想选择，可提高太阳能电池板的转换效率。

这些是18NM80-VB MOSFET的一些应用领域示例，但并不局限于此，它还可以用于许多其他领域和模块，以满足各种电源和控制需求。