### 产品简介:
VBsemi的18NM80-VB是一款单N沟道MOSFET,具有800V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。它采用了SJ_Multi-EPI技术,具有出色的性能和可靠性。这款MOSFET的RDS(ON)为205mΩ@VGS=10V,ID为20A,适用于多种领域和模块。
### 参数说明:
- **型号:** 18NM80-VB
- **包装:** TO220F
- **配置:** 单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压):** 800V
- **VGS(栅极-源极电压):** 30V(±)
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **RDS(ON):** 205mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏极电流):** 20A
- **技术:** SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块:
1. **电源模块:** 18NM80-VB可以用于开关电源模块,提供高效率和可靠性。
2. **电动汽车充电器:** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻,这款MOSFET适用于电动汽车充电器,可实现高效率的充电。
3. **工业电机驱动器:** 在工业电机驱动器中,这款MOSFET可以提供可靠的开关控制和低损耗。
4. **太阳能逆变器:** 18NM80-VB的高电压和低导通电阻使其成为太阳能逆变器的理想选择,可提高太阳能电池板的转换效率。
这些是18NM80-VB MOSFET的一些应用领域示例,但并不局限于此,它还可以用于许多其他领域和模块,以满足各种电源和控制需求。