SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330)
参数描述:
N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V);SOT23
型号参数介绍:
SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330)参数说明:极性:N沟道;额定电压:30V;最大电流:6.5A;导通电阻:30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V;门源电压范围:20Vgs (±V)阈值电压:1.2~2.2V;封装:SOT23
应用简介:SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330) 是一款N沟道MOSFET,适用于中功率应用的开关控制。
具有适中的电流和导通电阻,使其在多种应用中表现出色。
常见的应用包括电源开关、电机驱动、LED驱动等。
优势:中功率应用:适用于中功率范围内的开关控制,如电源开关和电机驱动。
低导通电阻:低导通电阻有助于减少导通损耗,提高效率。
宽门源电压范围:适应不同工作条件,提高稳定性。
阈值电压可调范围:适合不同逻辑电平的控制。
适用模块:SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330) 适用于中功率开关控制模块,如电源管理模块、电机驱动模块等。
其中等功率和可调的阈值电压使其适用于多种应用场景,特别是需要适应不同逻辑电平的情况。
请注意,实际使用中应根据具体的电路需求进行详细的设计和测试,以确保所选器件的性能和可靠性。