在PMOS断开的时候,输出电压Vout出现回沟现象

文章讨论了PMOS开关在改变负载后输出端Vout电压下电波形异常的现象,解释了由于负载变化导致的Vout电压波动。提出通过加快PMOS关闭速度和在输出端添加滤波电容来消除回沟问题。
摘要由CSDN通过智能技术生成

电路现象:PMOS断开后,输出端Vout电压先降低,后上升,再下降,随即下电波形出现回沟。(由以下电路展开)

以上为PMOS开关仿真电路,其将负载换成了一个开关电路,在改变负载以后,Vout的下电波形就不正常了,这是为什么呢?

PMOS从导通到关断时,PMOS的阻抗会从接近0(导通),再到电阻无穷大(断开),这里会有一段过程,而PMOS会存在一定的阻值,负载也非恒定电阻。

在Vout下电过程中,负载获得的电压会下降到一定程度,随后可能会因为欠压突然停止工作,所需要的电流会急剧减小。

即其等效电阻突然变大,导致它获得的分压变大,这时就会出现以上的情况,Vout电压就涨上去了。也就是说,Vout的电压等于Vin在PMOS和负载上面的分压,如果负载RL突然变大,那么就有可能出现Vout突然上涨的情况。

因此,当PMOS从导通到关断切换期间,PMOS的Vgs电压等于其Vgsth,就出现了回沟。

那要如何解决这个问题呢?有两个选择。

1、可以让PMOS更快的关闭,例如将PMOS的g和s跨接的电容从100nF调整到10nF,回沟就基本没有了。

  1. 在输出端加一个滤波电容,避免负载等效RL突然变大。

这是因为增加一个滤波电容以后,等效负载会变成原本的RL和新增加电容阻抗的并联。尽管原本的RL突然变大,由于有电容阻抗的存在,负载阻抗就不会超过电容的阻抗。

PMOS关断的瞬间,过程是比较短暂的,信号可以当作交流,因此电容在这不可以看成是 开路,而是构成总的阻抗的一部分。

只要电容值合理,基本是可以解决电容回沟问题的。(如下图)

PS:以上内容属个人观点,部分资料与图片来源于网络

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MOS管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一种常用的半导体器件,在电路中有广泛的应用。下面对MOS管应用电路图的原理进行分析。 首先,MOS管应用电路图中最基本的是共源极电路。这种电路中,MOS管的栅极与电源接入,并且通过一个电阻与地相连,称为输入电阻。当在栅极加上适当的电压时,栅极与源极之间就会形成一个正向偏置电压,使电流流过排沟,从而控制MOS管的导通。这种电路常用于信号放大和开关电路等应用。 另外,MOS管还可以用于放大器电路。比如,共栅极电路。在这种电路中,输入信号通过电容耦合进入栅极,而源极与电源相连,通过电阻与地相连。这样就形成了一个负反馈放大电路。通过调节MOS管的栅极电压,可以控制输出信号的放大倍数,达到放大器的功能。 此外,MOS管还可以用于振荡电路。常见的例子就是Colpitts振荡器电路。在这种电路中,由MOS管的栅极、源极和排沟组成振荡回路。通过合适的电容和电感元件,可以实现信号的自激振荡。 除了上述应用,MOS管还可以用于开关电路、DC-DC转换电路、电源管理电路等。由于MOS管具有高可靠性、低功耗、高集成度等优点,因此在现代电子产品中得到了广泛的应用。 总之,MOS管应用电路图的原理分析主要涉及到MOS管的导通、放大和振荡等特性。通过合适的电路设计,可以实现不同的功能,满足各种应用需求。
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