### 产品简介
136N08N-VB TO263 是一款单通道 N 型 MOSFET,采用沟道(Trench)技术。具有低导通电阻和高耐压特性,适用于高性能应用中的功率控制和开关电路。
### 参数说明
- **封装:** TO263
- **VDS(漏极-源极电压):** 80V
- **VGS(栅极-源极电压):** ±20V
- **Vth(阈值电压):** 3V
- **导通电阻:**
- @VGS=4.5V: 10mΩ
- @VGS=10V: 6mΩ
- **最大漏极电流(ID):** 120A
### 应用领域和模块举例
1. **电源模块:** 136N08N-VB TO263 适用于高性能功率控制的电源模块中的主开关,提高电源的转换效率。
2. **电机驱动:** 在电机驱动器中,136N08N-VB TO263 可以用作低电阻、高效率的电源开关,用于控制电机的启停和速度。
3. **电动汽车充电桩:** 由于其高电流和高耐压特性,136N08N-VB TO263 可以用于电动汽车充电桩中的开关电源单元,实现快速、高效的充电过程。
4. **逆变器:** 在逆变器应用中,136N08N-VB TO263 能够承受高电压和高电流,在转换过程中提供高效的功率管理。
这些示例说明了136N08N-VB TO263 在需要高性能功率控制的各种领域和模块中的广泛应用。