135N08N-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 产品简介

VBsemi的135N08N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，具有80V的漏极-源极电压（VDS）和20V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时为5mΩ，具有75A的漏极电流（ID）和3V的阈值电压（Vth）。

### 参数说明

- **型号**: 135N08N-VB
- **封装**: TO252
- **结构**: 单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**: 80V
- **VGS（栅极-源极电压）**: 20V（±）
- **Vth（阈值电压）**: 3V
- **RDS(ON)（漏极-源极导通电阻）**: 
  - VGS=10V时：5mΩ
- **ID（漏极电流）**: 75A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例

1. **电源模块**: 由于135N08N-VB具有较高的漏极-源极电压和较大的漏极电流，适用于一些高功率的电源模块，如DC-DC变换器和电源管理模块。
2. **电动车电机驱动**: 在电动车的电机驱动系统中，MOSFET通常用于控制电机的启停和速度调节。135N08N-VB可用于电动车的电机驱动器中，提供高效率的功率控制。
3. **LED照明**: 由于其较高的漏极-源极电压和较低的导通电阻，135N08N-VB适用于LED照明驱动器和控制器，提供稳定的电流和照明控制。
4. **工业自动化**: 在工业自动化领域，MOSFET通常用于控制各种电气设备和机器。135N08N-VB可用于工业自动化系统中的功率开关和控制电路。
5. **电池充放电管理**: 由于其较高的漏极-源极电压和较大的漏极电流容量，该器件适用于电池充放电管理系统中的功率开关和控制电路。

以上领域和模块仅为示例，实际应用取决于具体设计要求和环境。