### 一、产品简介
**15N60C3-VB TO247**是VBsemi公司生产的高性能N沟道MOSFET产品。该产品采用TO247封装形式,具有单N通道配置,适用于高压电源管理和开关应用。15N60C3-VB采用了SJ_Multi-EPI技术,具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承载能力,在高压和高电流条件下表现出色。
### 二、详细参数说明
- **封装形式**:TO247
- **配置**:单N通道
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:300mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**:15A
- **技术类型**:SJ_Multi-EPI
### 三、应用领域和模块
**15N60C3-VB TO247**适用于以下领域和模块,以提供高压电源管理和开关功能:
1. **电力电子模块**:适用于变频器、电力因素校正器和电源开关等电力电子设备,提供高效、可靠的电力转换和控制。
- **示例**:在工业变频器中,15N60C3-VB可用作功率开关,确保变频器的稳定运行和高效能。
2. **电动汽车驱动模块**:用于电动汽车的电机驱动器和逆变器模块,提供高效、可靠的电动汽车驱动功能。
- **示例**:在电动汽车的电机驱动器中,15N60C3-VB可用作电机的功率开关,确保电动汽车的高效能驱动。
3. **工业控制模块**:适用于工业自动化设备和机器人控制器等工业控制模块,提供可靠、高效的控制功能。
- **示例**:在工业机器人控制器中,15N60C3-VB可用作开关元件,确保机器人的准确运行和稳定性能。
通过在这些领域和模块中的应用,15N60C3-VB TO247能够为各种设备提供高效的高压电源管理和开关功能,同时提高设备的性能和可靠性。