### 一、23NM50N-VB TO263 产品简介
23NM50N-VB 是一款单N沟道MOSFET,封装形式为TO263,采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高压(650V)和高电流(20A)处理能力。该器件在10V栅极驱动电压下具有160mΩ的导通电阻,适用于高压应用场合,如工业电源、UPS系统、电动汽车控制等,具有高效能量转换和稳定性能。
### 二、23NM50N-VB TO263 详细参数说明
- **封装形式**:TO263
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:650V
- **栅源极电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:160mΩ @VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:20A
- **技术**:SJ_Multi-EPI
### 三、23NM50N-VB TO263 应用领域和模块举例
1. **工业电源**:
- **应用说明**:23NM50N-VB 在工业电源中可以提供稳定的高压输出,其低导通电阻和高可靠性使得工业设备能够获得高效能量转换。
- **实例**:适用于工业设备的开关电源、变频器等高压电源模块。
2. **UPS系统**:
- **应用说明**:在UPS系统中,23NM50N-VB 可以提供高效能量转换和可靠的备用电源,确保系统在断电时能够持续稳定运行。
- **实例**:应用于大型UPS系统中,如数据中心、医疗设施等需要稳定备用电源的场合。
3. **电动汽车控制**:
- **应用说明**:23NM50N-VB 在电动汽车控制系统中可以提供稳定的电流输出和高效的能量转换,确保电动汽车的安全和高效运行。
- **实例**:适用于电动汽车的电池管理系统、电机控制模块等高压控制模块。
这些应用示例展示了23NM50N-VB 在高压、高电流应用中的广泛适用性和优越性能,能够满足多种工业和电力应用的需求。