### 产品简介:
10NM50N-VB 是一款单通道 N 型 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术制造,具有650V 的漏极-源极电压(VDS),30V 的栅极-源极电压(VGS,±),3.5V 的阈值电压(Vth),在VGS=10V 时的导通电阻(RDS(ON))为500mΩ,最大漏极电流(ID)为9A。该产品采用 TO252 封装。
### 参数说明:
- **包装尺寸**:TO252
- **配置**:单 N-通道
- **漏极-源极电压(VDS)**:650V
- **栅极-源极电压(VGS)**:30V(±)
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:500mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:9A
- **技术**:SJ_Multi-EPI
### 应用示例:
1. **电源模块**:10NM50N-VB 可用于开关电源模块中的功率开关。
2. **电动汽车充电桩**:可用于电动汽车充电桩中的电源开关。
3. **太阳能逆变器**:在太阳能逆变器中作为关键功率开关元件使用。
4. **电机驱动**:用于工业电机驱动器中的功率开关。
5. **电源管理**:适用于各种需要高电压和高电流开关的电源管理应用。
这些示例突显了 10NM50N-VB 在能源转换、电源管理和电机控制等领域的广泛应用。