2852O-VB一种N+P-Channel沟道TSSOP8封装MOS管

### 产品简介

VBsemi的2852O-VB是一款高性能双N+P沟道MOSFET，具有双沟槽结构，适用于需要高性能和高可靠性的应用。该器件采用TSSOP8封装，适用于空间受限的应用场合，如便携式设备和汽车电子。2852O-VB具有双N沟道和P沟道MOSFET的优点，可提供更灵活的电路设计选项。

### 详细参数说明

- **型号**: 2852O-VB
- **封装形式**: TSSOP8
- **配置**: 双N+P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: ±30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2V (N沟道) / -2V (P沟道)
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
  - N沟道: 2mΩ @ VGS = 4.5V, 2/7mΩ @ VGS = 10V
  - P沟道: 14mΩ @ VGS = 4.5V, 2/7mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: N沟道: 6.2A, P沟道: 5A
- **技术**: 沟槽技术

### 应用领域和模块示例

1. **汽车电子**：
   - 在汽车电子中，2852O-VB可用于电动车充电器、车载逆变器和电动助力转向系统。其双沟槽结构使其能够同时满足高电流和低压降的需求，适用于各种汽车电子系统。

2. **便携式设备**：
   - 在便携式设备中，如智能手机和平板电脑，2852O-VB可用于电池管理系统和充电模块。其高效能和低导通电阻可延长电池寿命并提高充电效率。

3. **工业控制**：
   - 该MOSFET适用于工业控制系统中的电机驱动器和UPS系统。其双沟槽结构可提供更好的功率转换效率和更低的热损耗，提高系统的可靠性和效率。

4. **通信设备**：
   - 在通信设备中，2852O-VB可用于功率放大器和电源管理模块。其双N+P沟道结构使其能够实现更灵活的电路设计，并提高设备的性能和稳定性。

综上所述，VBsemi的2852O-VB MOSFET适用于各种需要双沟槽结构的应用领域，特别是在需要高性能和高可靠性的场合表现出色。

### 产品简介

VBsemi的2852O-VB是一款高性能双N+P沟道MOSFET，具有双沟槽结构，适用于需要高性能和高可靠性的应用。该器件采用TSSOP8封装，适用于空间受限的应用场合，如便携式设备和汽车电子。2852O-VB具有双N沟道和P沟道MOSFET的优点，可提供更灵活的电路设计选项。

### 详细参数说明

- **型号**: 2852O-VB
- **封装形式**: TSSOP8
- **配置**: 双N+P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: ±30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2V (N沟道) / -2V (P沟道)
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
  - N沟道: 2mΩ @ VGS = 4.5V, 2/7mΩ @ VGS = 10V
  - P沟道: 14mΩ @ VGS = 4.5V, 2/7mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: N沟道: 6.2A, P沟道: 5A
- **技术**: 沟槽技术

### 应用领域和模块示例

1. **汽车电子**：
   - 在汽车电子中，2852O-VB可用于电动车充电器、车载逆变器和电动助力转向系统。其双沟槽结构使其能够同时满足高电流和低压降的需求，适用于各种汽车电子系统。

2. **便携式设备**：
   - 在便携式设备中，如智能手机和平板电脑，2852O-VB可用于电池管理系统和充电模块。其高效能和低导通电阻可延长电池寿命并提高充电效率。

3. **工业控制**：
   - 该MOSFET适用于工业控制系统中的电机驱动器和UPS系统。其双沟槽结构可提供更好的功率转换效率和更低的热损耗，提高系统的可靠性和效率。

4. **通信设备**：
   - 在通信设备中，2852O-VB可用于功率放大器和电源管理模块。其双N+P沟道结构使其能够实现更灵活的电路设计，并提高设备的性能和稳定性。

综上所述，VBsemi的2852O-VB MOSFET适用于各种需要双沟槽结构的应用领域，特别是在需要高性能和高可靠性的场合表现出色。