2SK1669-VB一种N-Channel沟道TO3P封装MOS管

### 一、2SK1669-VB 产品简介

2SK1669-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET，采用 TO3P 封装，适用于超高压和高功率应用。这款 MOSFET 具备 250V 的漏源电压 (VDS) 和 60A 的漏极电流 (ID)，具有低导通电阻和高效率特性，适用于需要超高功率开关和放大电路的场合。采用 Trench 技术制造，提供卓越的性能和可靠性。

### 二、2SK1669-VB 详细参数说明

- **封装**: TO3P
- **配置**: 单 N-沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 250V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门限电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 40mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 60A
- **技术**: Trench

### 三、应用领域和模块举例

2SK1669-VB 适用于多种超高压和高功率应用，包括但不限于：

1. **工业电源**:
   - 在工业电源系统中，2SK1669-VB 可用于高功率开关电源、逆变器和稳压器等电路中，其超高漏源电压和低导通电阻特性使其成为高功率应用的理想选择。

2. **电动汽车充电桩**:
   - 在电动汽车充电桩中，2SK1669-VB 可用于控制和管理充电电路，其高电流和低导通电阻特性确保了充电桩的高效率和可靠性。

3. **工业驱动器**:
   - 在工业驱动器中，2SK1669-VB 可用于控制和驱动各种高功率电机和设备，例如大型风机、泵等，其高效率和可靠性保证了系统的稳定运行。

4. **电源逆变器**:
   - 在电源逆变器中，2SK1669-VB 可用于将直流电转换为交流电，其超高压和电流能力使其成为逆变器系统中的重要组成部分。

通过以上应用场景，可以看出 2SK1669-VB 具有广泛的适用性，能够满足各种超高压和高功率需求的应用场合。