### 产品简介
2SK2599_06-VB 是一款高压、单N沟道MOSFET,采用TO220F封装。其设计采用了Plannar技术,具有良好的开关性能和高压承受能力,适用于高压应用场景。该MOSFET具有650V的漏源电压(VDS),能够在较高的电压下提供可靠的导通性能。其最大漏极电流(ID)为4A,栅源电压(VGS)为30V(±),门限电压(Vth)为3.5V。
### 详细参数说明
- **型号**: 2SK2599_06-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 650V
- **栅源电压(VGS)**: ±30V
- **门限电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 4A
- **技术**: Plannar
### 应用领域及模块
2SK2599_06-VB MOSFET 适用于需要中等功率、高压的应用场景,例如:
1. **电源逆变器**:在需要中等功率和高压逆变的应用中,该MOSFET能够提供可靠的开关性能,适用于太阳能逆变器、风能逆变器等领域。
2. **工业控制系统**:在需要高压开关和稳定性能的工业控制系统中,该MOSFET能够提供可靠的开关性能,适用于高压设备控制等领域。
3. **电源管理**:用于需要高压开关和稳定性能的电源管理系统中,适用于工业电源、UPS电源等领域。
通过这些应用示例,可以看出2SK2599_06-VB MOSFET 适用于需要中等功率、高压的多种电子和工业应用场景。其高压承受能力和可靠性使其成为中等功率高压应用中的理想选择。