06CNE8N-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi的06CNE8N-VB是一款TO263封装的单N沟道MOSFET。它具有80V的漏极-源极电压（VDS）、20V（±V）的门极-源极电压（VGS）、3V的阈值电压（Vth）、在VGS=4.5V时的10mΩ的导通电阻（RDS(ON)）、在VGS=10V时的6mΩ的导通电阻（RDS(ON)）、以及120A的漏极电流（ID）。该产品采用Trench工艺。

**产品简介：**
VBsemi的06CNE8N-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，适用于多种领域和模块。它具有高漏极电压、低导通电阻和可靠性强的特点，适用于要求高功率密度和高效率的应用场合。

**详细参数说明：**
- 封装：TO263
- 类型：单N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：80V
- 门极-源极电压（VGS）：20V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3V
- 导通电阻（RDS(ON)）：10mΩ @ VGS=4.5V, 6mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：120A
- 工艺：Trench

**应用领域和模块示例：**
1. **电源模块**：06CNE8N-VB适用于中高功率电源模块，如电动工具、电动车充电器等，具有低导通电阻和高效率。
2. **电动车**：在电动车的电动机驱动系统中，06CNE8N-VB可用于控制器模块，提供稳定的功率输出。
3. **工业控制**：在工业控制领域，06CNE8N-VB适用于各种类型的电机控制器和功率逆变器，提供高效率和可靠性。
4. **电源管理**：在各类电源管理系统中，06CNE8N-VB可用作功率开关，具有高效率和稳定的性能。
5. **LED照明**：在LED照明系统中，06CNE8N-VB可用作LED驱动器，提供高效率的电能转换和稳定的电流输出。

这些是06CNE8N-VB的一些典型应用场景，但并不限于此，具体应用取决于设计要求和环境条件。