VBsemi的06CNE8N-VB是一款TO263封装的单N沟道MOSFET。它具有80V的漏极-源极电压(VDS)、20V(±V)的门极-源极电压(VGS)、3V的阈值电压(Vth)、在VGS=4.5V时的10mΩ的导通电阻(RDS(ON))、在VGS=10V时的6mΩ的导通电阻(RDS(ON))、以及120A的漏极电流(ID)。该产品采用Trench工艺。
**产品简介:**
VBsemi的06CNE8N-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,适用于多种领域和模块。它具有高漏极电压、低导通电阻和可靠性强的特点,适用于要求高功率密度和高效率的应用场合。
**详细参数说明:**
- 封装:TO263
- 类型:单N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):80V
- 门极-源极电压(VGS):20V(±V)
- 阈值电压(Vth):3V
- 导通电阻(RDS(ON)):10mΩ @ VGS=4.5V, 6mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流(ID):120A
- 工艺:Trench
**应用领域和模块示例:**
1. **电源模块**:06CNE8N-VB适用于中高功率电源模块,如电动工具、电动车充电器等,具有低导通电阻和高效率。
2. **电动车**:在电动车的电动机驱动系统中,06CNE8N-VB可用于控制器模块,提供稳定的功率输出。
3. **工业控制**:在工业控制领域,06CNE8N-VB适用于各种类型的电机控制器和功率逆变器,提供高效率和可靠性。
4. **电源管理**:在各类电源管理系统中,06CNE8N-VB可用作功率开关,具有高效率和稳定的性能。
5. **LED照明**:在LED照明系统中,06CNE8N-VB可用作LED驱动器,提供高效率的电能转换和稳定的电流输出。
这些是06CNE8N-VB的一些典型应用场景,但并不限于此,具体应用取决于设计要求和环境条件。