100N06LS3-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品简介：**
100N06LS3-VB是一款DFN8(5X6)封装的单路N沟道MOSFET。它具有60V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，正负值），2.5V的阈值电压（Vth），在VGS=4.5V时的导通电阻为13mΩ（RDS(ON)），在VGS=10V时的导通电阻为10mΩ（RDS(ON)），以及50A的漏极电流（ID）。该产品采用槽沟道（Trench）技术制造。

**详细参数说明：**
- 封装：DFN8(5X6)
- 极性：N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：60V
- 栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：2.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：13mΩ @ VGS=4.5V，10mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：50A
- 技术：槽沟道（Trench）

**适用领域和模块：**
- 电源管理：100N06LS3-VB适用于需要高电压和中等电流的电源管理，例如电源逆变器、电源开关等。
- 电机控制：由于其高漏极电流和低导通电阻，这款MOSFET可以用于电机驱动电路中，实现高效率的电机控制。
- 汽车电子：在汽车电子系统中，这款MOSFET可以用于电池管理系统、电动汽车驱动系统等。
- 工业控制：在需要高功率开关的工业控制系统中，100N06LS3-VB可以用作开关管，实现高效率的能量转换。

以上只是一些例子，实际上，100N06LS3-VB还可以用于许多其他领域和模块，具体取决于应用的要求和设计的需要。