10N90L-T47-T-VB一种N-Channel沟道TO247封装MOS管

### 1. 产品简介

VBsemi的10N90L-T47-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO247封装。它具有900V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS），和3.5V的阈值电压（Vth）。这款MOSFET的导通电阻（RDS(ON)）为750mΩ（在VGS=10V时），最大漏极电流（ID）为9A。它采用了SJ_Multi-EPI技术，适用于各种领域和模块。

### 2. 参数说明

- 封装：TO247
- 构型：单N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：900V
- 栅极-源极电压（VGS）：30V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：750mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流（ID）：9A
- 技术：SJ_Multi-EPI

### 3. 应用领域和模块

- **电源**：由于10N90L-T47-T-VB具有较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻，它适用于高压开关电源和逆变器。
- **工业控制**：可用于各种工业控制应用，如PLC（可编程逻辑控制器）、工业自动化和机器人控制。
- **太阳能逆变器**：在太阳能逆变器中，这款MOSFET可以用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
- **电动汽车**：在电动汽车的电力传输和控制系统中，这款MOSFET可以用于控制电动机和其他高压设备。

这些是一些10N90L-T47-T-VB可以应用的领域和模块的例子，但实际上，它在各种高压应用中都有潜在的用途。