### 产品简介
VBsemi的135N03L-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装,具有30V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,±V),1.7V的阈值电压(Vth),以及在VGS=4.5V时为9mΩ,在VGS=10V时为7mΩ的导通电阻(RDS(ON))。该器件的漏极电流(ID)额定为70A,采用沟道技术制造。
### 参数说明
- **包装形式**:TO252
- **通道类型**:单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压)**:30V
- **VGS(栅极-源极电压)**:20V(±V)
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **RDS(ON)(导通电阻)**:9mΩ @ VGS=4.5V;7mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏极电流)**:70A
- **技术**:沟道
### 应用领域和模块举例
1. **电源模块**:135N03L-VB适用于高性能电源模块,如电源适配器和功率转换器,提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **电池管理**:在便携式电子设备和电动车辆中,这种器件可用于电池管理系统,确保电池充电和放电过程的安全和高效。
3. **电机控制**:适用于低电压电机控制,如无刷直流电机驱动和舵机控制,提供高效的电机控制和响应。
4. **照明应用**:在LED照明系统中,这种器件可以用作LED驱动器的开关装置,实现LED灯的亮度和颜色控制。
5. **汽车电子**:在汽车电子系统中,该器件可用于电池管理和电动汽车控制,提供稳定可靠的性能,满足汽车环境的要求。
以上仅为一些常见应用领域和模块,实际应用中还可能有其他领域和模块。