135N03L-VB TO252一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 产品简介
VBsemi的135N03L-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装，具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.7V的阈值电压（Vth），以及在VGS=4.5V时为9mΩ，在VGS=10V时为7mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。该器件的漏极电流（ID）额定为70A，采用沟道技术制造。

### 参数说明
- **包装形式**：TO252
- **通道类型**：单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**：30V
- **VGS（栅极-源极电压）**：20V（±V）
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **RDS(ON)（导通电阻）**：9mΩ @ VGS=4.5V；7mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏极电流）**：70A
- **技术**：沟道

### 应用领域和模块举例
1. **电源模块**：135N03L-VB适用于高性能电源模块，如电源适配器和功率转换器，提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **电池管理**：在便携式电子设备和电动车辆中，这种器件可用于电池管理系统，确保电池充电和放电过程的安全和高效。
3. **电机控制**：适用于低电压电机控制，如无刷直流电机驱动和舵机控制，提供高效的电机控制和响应。
4. **照明应用**：在LED照明系统中，这种器件可以用作LED驱动器的开关装置，实现LED灯的亮度和颜色控制。
5. **汽车电子**：在汽车电子系统中，该器件可用于电池管理和电动汽车控制，提供稳定可靠的性能，满足汽车环境的要求。

以上仅为一些常见应用领域和模块，实际应用中还可能有其他领域和模块。