114N03L-VB TO263一种N-Channel沟道TO263封装MOS管

### 产品简介：
114N03L-VB TO263是一款单N沟道MOSFET，具有30V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±V）、1.7V的阈值电压（Vth）、18mΩ@VGS=4.5V和12mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)）、以及50A的漏极电流（ID）。采用沟槽技术（Trench）制造。

### 参数说明：
- **Package（封装）：** TO263
- **Configuration（配置）：** 单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）：** 30V
- **VGS（栅极-源极电压）：** 20V（±V）
- **阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 
  - @VGS=4.5V: 18mΩ
  - @VGS=10V: 12mΩ
- **ID（漏极电流）：** 50A
- **Technology（技术）：** 沟槽（Trench）

### 应用领域和模块示例：
1. **电源模块：** 114N03L-VB TO263在电源模块中广泛应用，用于开关电源的开关管或同步整流器。
2. **电机驱动：** 可以作为电机驱动器件，用于驱动直流电机或步进电机，提供高效的电机控制。
3. **LED照明：** 在LED照明领域，可以用作LED驱动器，控制LED灯珠的亮度和开关。
4. **电动工具：** 适用于电动工具中的电机控制，如电动螺丝刀、电动钻等，提供可靠的电机控制。
5. **电池管理：** 可以用于电池管理系统中的充放电控制，提供高效的电池管理方案。

这些示例说明了114N03L-VB TO263在各种领域和模块中的广泛应用，展示了其高性能和多功能性。