11N90G-TA3-T-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

### 11N90G-TA3-T-VB MOSFET 产品简介

VBsemi的11N90G-TA3-T-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220封装技术。这种MOSFET在900V的漏源电压（VDS）和30V（±V）的栅源电压（VGS）下工作。其开态电阻（RDS(ON)）在栅源电压为10V时为950mΩ。该器件的额定电流（ID）为7A，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高电压承受能力和低导通电阻的特点，适用于高压、高功率的应用场景。

### 11N90G-TA3-T-VB MOSFET 参数说明

- **型号：** 11N90G-TA3-T-VB
- **封装：** TO220
- **配置：** 单N沟道
- **漏源电压（VDS）：** 900V
- **栅源电压（VGS）：** 30（±V）
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **开态电阻（RDS(ON)）@VGS=10V：** 950mΩ
- **额定电流（ID）：** 7A
- **技术：** SJ_Multi-EPI

### 11N90G-TA3-T-VB MOSFET 应用领域及模块示例

1. **电源逆变器：**
   11N90G-TA3-T-VB MOSFET适用于太阳能逆变器和电网逆变器中的高压开关。其高漏源电压和低导通电阻使其能够在逆变器中稳定地转换直流电为交流电，提供可靠的电源输出。

2. **工业高压电源：**
   在工业设备中，特别是需要高压电源的设备中，11N90G-TA3-T-VB MOSFET可用于控制高压电源的开关。其高漏源电压和高可靠性使其成为工业设备中的理想选择。

3. **医疗设备：**
   在一些需要高压开关的医疗设备中，如X射线机和核磁共振设备，11N90G-TA3-T-VB MOSFET可用于控制电源的开关。其高电压承受能力和低导通电阻确保了设备的稳定性和可靠性。

4. **电动车辆充电桩：**
   在电动车辆充电桩中，11N90G-TA3-T-VB MOSFET可用于控制充电桩的直流-直流变换器。其高额定电流和低导通电阻使其能够高效地转换电能，提供快速充电服务。

通过这些应用领域和模块的实例，11N90G-TA3-T-VB MOSFET展示了其在高压、高功率需求场景中的适用性，成为各类电子系统中不可或缺的核心组件。