200N03S-VB一款N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi 200N03S-VB SOP8 MOSFET产品简介：

VBsemi的200N03S-VB SOP8是一款SOP8封装的单通道N沟道MOSFET。该产品具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.7V的阈值电压（Vth），11mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@VGS=4.5V和8mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及13A的漏极电流（ID）。采用Trench技术。

200N03S-VB SOP8详细参数说明：

- 封装：SOP8
- 类型：单通道N沟道
- VDS（漏极-源极电压）：30V
- VGS（栅极-源极电压）：20V（±V）
- 阈值电压（Vth）：1.7V
- 导通电阻（RDS(ON)）：11mΩ @ VGS=4.5V，8mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：13A
- 技术：Trench

产品应用领域和模块示例：

1. 电源管理模块：200N03S-VB SOP8适用于低功率的电源管理模块中的功率开关电路，如适配器和充电器。

2. 电动工具：由于200N03S-VB SOP8具有较低的导通电阻和高的漏极电流，适用于电动工具中的电源开关电路。

3. 车载电子系统：在车载电子系统中，200N03S-VB SOP8可以用于驱动电动机和其他功率控制应用，提高系统效率。

4. 工业控制系统：在需要较低电压和适中电流的工业控制系统中，200N03S-VB SOP8可以提供稳定可靠的性能。

以上是关于VBsemi 200N03S-VB SOP8 MOSFET的产品简介、详细参数说明以及在不同领域和模块中的应用示例。