VBsemi 200N15N-VB TO252 MOSFET产品简介:
200N15N-VB TO252是一款单N沟道场效应管,具有150V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS)(±V),3V的阈值电压(Vth),19mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON)),以及50A的漏极电流(ID)。采用了沟道技术(Trench Technology)。
详细参数说明:
- 封装:TO252
- 类型:单N沟道(Single-N-Channel)
- VDS(漏极-源极电压):150V
- VGS(栅极-源极电压):20V(±V)
- 阈值电压(Vth):3V
- 导通电阻(RDS(ON)):19mΩ@VGS=10V
- 漏极电流(ID):50A
- 技术:沟道技术(Trench)
适用领域和模块示例:
1. 电源模块:200N15N-VB TO252适用于高功率电源模块,如开关电源和逆变器设计。
2. 电动工具:可用于高功率电动工具驱动器设计,如电动钻机和电动割草机。
3. 汽车电子:适用于汽车电子模块,如车载电源管理器和车载娱乐系统。
4. 工业控制:在工业自动化和机器人领域,该器件可用于高功率开关电路和电机控制器设计。
5. 太阳能逆变器:用于太阳能逆变器模块,实现太阳能电池板的能量转换和管理。
这些是200N15N-VB TO252 MOSFET在各个领域和模块上的一些示例应用。