200N6F3-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi 200N6F3-VB TO263 MOSFET产品简介：

VBsemi的200N6F3-VB TO263是一款TO263封装的单通道N沟道MOSFET。该产品具有60V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），3V的阈值电压（Vth），12mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@VGS=4.5V和3.2mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及210A的漏极电流（ID）。采用Trench技术。

200N6F3-VB TO263详细参数说明：

- 封装：TO263
- 类型：单通道N沟道
- VDS（漏极-源极电压）：60V
- VGS（栅极-源极电压）：20V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3V
- 导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ @ VGS=4.5V，3.2mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：210A
- 技术：Trench

产品应用领域和模块示例：

1. 电源管理模块：200N6F3-VB TO263适用于高功率的电源管理模块中的功率开关电路，如电源适配器和电动工具。

2. 电动车辆驱动：由于200N6F3-VB TO263具有较高的漏极电流和低的导通电阻，可用于电动车辆驱动系统中的功率开关电路。

3. 工业控制系统：在需要高电压和高电流的工业控制系统中，200N6F3-VB TO263可以提供稳定可靠的性能。

4. 电源逆变器：在电源逆变器中，200N6F3-VB TO263可以用于功率开关电路，提高能量转换效率。

以上是关于VBsemi 200N6F3-VB TO263 MOSFET的产品简介、详细参数说明以及在不同领域和模块中的应用示例。