VBsemi 200N6F3-VB TO263 MOSFET产品简介:
VBsemi的200N6F3-VB TO263是一款TO263封装的单通道N沟道MOSFET。该产品具有60V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,±V),3V的阈值电压(Vth),12mΩ的导通电阻(RDS(ON))@VGS=4.5V和3.2mΩ的导通电阻(RDS(ON))@VGS=10V,以及210A的漏极电流(ID)。采用Trench技术。
200N6F3-VB TO263详细参数说明:
- 封装:TO263
- 类型:单通道N沟道
- VDS(漏极-源极电压):60V
- VGS(栅极-源极电压):20V(±V)
- 阈值电压(Vth):3V
- 导通电阻(RDS(ON)):12mΩ @ VGS=4.5V,3.2mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流(ID):210A
- 技术:Trench
产品应用领域和模块示例:
1. 电源管理模块:200N6F3-VB TO263适用于高功率的电源管理模块中的功率开关电路,如电源适配器和电动工具。
2. 电动车辆驱动:由于200N6F3-VB TO263具有较高的漏极电流和低的导通电阻,可用于电动车辆驱动系统中的功率开关电路。
3. 工业控制系统:在需要高电压和高电流的工业控制系统中,200N6F3-VB TO263可以提供稳定可靠的性能。
4. 电源逆变器:在电源逆变器中,200N6F3-VB TO263可以用于功率开关电路,提高能量转换效率。
以上是关于VBsemi 200N6F3-VB TO263 MOSFET的产品简介、详细参数说明以及在不同领域和模块中的应用示例。