2N7002K-13-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管

### 产品简介

VBsemi的2N7002K-13-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了Trench技术制造，具有低漏源极电压和适中的导通电阻。该器件适用于低压低功率应用，如电源管理、信号开关和驱动器。2N7002K-13-VB采用SOT23-3封装，体积小巧，适合于需要高集成度和小尺寸的电路设计。

### 详细参数说明

- **型号**: 2N7002K-13-VB
- **封装形式**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
  - 3100mΩ @ VGS = 4.5V
  - 2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例

1. **电源管理**：
   - 在低压低功率的电源管理电路中，2N7002K-13-VB可用作电源开关或负载开关。其低漏源极电压和适中导通电阻可确保电路的高效能和稳定性。

2. **信号开关**：
   - 作为信号开关，该MOSFET可用于控制信号在电路中的传输和屏蔽。其低漏源极电压和适中导通电阻可确保信号传输的稳定性和可靠性。

3. **驱动器**：
   - 在驱动器电路中，2N7002K-13-VB可用于控制小功率驱动器的开关。其小尺寸和高性能使其成为驱动器电路中的理想选择。

综上所述，VBsemi的2N7002K-13-VB MOSFET适用于各种低压低功率应用领域，特别是在电源管理、信号开关和驱动器等领域表现突出。