在半导体加工过程中，“刻蚀”与“蚀刻”的区别

常见工艺上会触碰到“刻蚀”与“蚀刻”，从字面的意思上很难有所区分，但从工艺的角度考虑，这两个之间却在某种程度上有所区别。

刻蚀，所提到的经常是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺，通常狭义的理解便是光刻腐蚀，通过光刻机将光刻胶进行光刻曝光处理，再根据其他方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。而广义的理解上，刻蚀通过溶液、反应离子或其他机械方式来剥离、除去材料的一种统称，与蚀刻在工艺上有着明显的区别。

蚀刻即光化学蚀刻，指通过制版曝光，显影后，将要时刻区域的保护膜去除，在蚀刻时使金属接触化学溶液，使用两个阳性图形通过从两面的化学淹磨达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。化学蚀刻是很有针对性的，是专指受控腐蚀，是金属通过化学方法进行一种可以控制的加工方法。