模电学习笔记——二极管

通大侠

已于 2024-02-05 14:49:20 修改

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于 2023-11-18 13:31:28 首次发布

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一、微观分析

二极管和晶体管是由半导体制成的。

首先，让我们从微观角度去研究半导体。

1、基础知识

半导体：介于导体与绝缘体的一种材料，最常用的便是今天的主角———硅（化学式Si）。

图1.1 硅的原子结构

最中间的是带正电的原子核，内含质子和中子。

从内到外的第三层（即最外层）称为价电子，具有最大的能量。有时，价电子获得了足够的能量就会挣脱原子核的束缚，从而成为自由电子。这种自由电子也称传导电子。

初中化学教过我们，原子是不带电的。这是因为原子核的正电和外围电子的负电相抵消，呈现电中性。若价电子挣脱了原子核的束缚，原子便成了离子。当然，离子分为正离子和负离子，他们都是带电的。上文所说的“失去电子”的情况是正离子，“得到电子”的情况是负离子。

2、本征半导体

纯净的硅就是本征半导体。

在绝对零度下，价电子得不到能量，也就是说它无法挣脱原子核的束缚。硅便成了良好的绝缘体。

原子在基态下，其全部的电子由最低能级依次填充，每个能级的轨道数不同，故每个能级容纳的电子数也不同。这些被填充满的能带称为满带。在所有满带中能量最高的称为价带。价带中的电子无法自由移动，所以这些电子无法导电。

未被电子填充的能级区域称为导带。价带与导带之间的能量间隙称为禁带。

绝缘体的禁带很大，几乎不可能有电子能跃迁到导带，所以它不导电。

金属（导体）没有禁带，它的价带与导带是相互重叠的，所以它导电性能非常好。

半导体的结构特点是：最高的满带（价带）和最低的空带（激发带）之间的间距较窄，所以用较小的能量就可以把价带的价电子激发到空带，形成自由电子。一个萝卜一个坑，价电子走后会留下一个坑位，称为空穴。这个过程称为本征激发。

自由电子与空穴成对出现，他们都是载流子。

图1.2 能级结构示意图

若导带的电子失去能量跌入价带中的空穴，自由电子和空穴成对消失。这个过程称为复合。

温度一定，激发与复合动态平衡（即自由电子浓度和空穴的浓度相等）。

3、掺杂半导体

在纯净半导体中有控制的加入特定的杂质，会增加载流子的数量，从而使半导体的性能有很大的提升，该过程称为掺杂。掺杂形成的半导体称为掺杂半导体。掺杂半导体分为两类：p型和n型。

n型半导体：在纯净的硅（或锗，以后默认为硅）中有控制地掺入5价的原子，这些原子最外围有五个电子，而硅只有四个。掺杂原子的四个价电子与硅原子的四个价电子形成共价键。但杂质原子有五个价电子。所以在掺杂过程中，每加入一个杂质原子都会多出一个额外电子，这个额外的电子不受任何原子的束缚，成为导带的自由电子。在n型半导体中，自由电子是多子（多数载流子），空穴是少子（少数载流子）。

p型半导体：过程与p型掺杂类似，不过n型半导体是在纯净半导体中加入3价的原子。这会导致空穴增多，所以在p型半导体中，自由电子是少子，空穴是多子。

*上文的p与n分别代表 positive 和 negative 。

4、pn结

在一块本征半导体上掺杂，使其一半是p型半导体，一半是n型半导体，那么在p型半导体与n型半导体的交界处会形成pn结。pn结形成了最基本的二极管。

在p区有很多空穴与少量由热激发产生的自由电子；在n区有很多自由电子和少量由热激发产生的空穴。

PN结电压与电流的关系

IV方程： $i=I_{s}$ $(e^{\frac{u}{U_{T}}}-1)$

5、耗尽区

形成pn结之后，在pn结附近的导带电子会漂移到p区与空穴复合，在n区留下了正离子；自由电子同样消耗了p区的空穴，在p区会形成负离子，如图。

图1.3 PN结

在耗尽区会产生势垒电压，势垒电压与温度有关，室温下，硅的势垒电压约为0.7v，锗的势垒电压约为0.3v。

由于两区浓度的差异，电子会发生扩散。

为了扩散到p区，n区的自由电子必须克服耗尽区正离子的引力和负离子的斥力。电荷穿越耗尽区的任何运动都需要克服势垒电压。

* $I_{S}$ ：反向饱和电流

* $U_{T}$ ：热电压，通常取26mV

二、二极管

一只pn结就构成一个二极管。

1、偏置

偏置是指给半导体器件外加固定的直流电压的工作条件。其中，正向偏置是允许电流流过pn结的条件。

①正向偏置

图2.1 正向偏置

工作原理：当外加直流电源后，由于静电力的作用，电源负极推动n区导带电子向pn结移动；电源正极推动p区空穴向pn结移动。若电压足够大，电子就会有足够的能量克服势垒电压穿过pn结到达p区，与p区的空穴复合，这些导带电子就成为了价电子。之后，这些价电子不断地向电源负极方向从一个空穴跳到另一个空穴，这就形成了电流。