MOSFET驱动要求:
(1)出发脉冲要具有足够快的上升和下降速度;
(2)开通以低电阻为栅极电容充电,关断时为栅极电容提供低电阻放电回路,以提高MOSFET开关速度。
(3)为使功率MOSFET可靠触发导通,触发脉冲电压高于MOSFET的开启电压;
(4)为防止误导通,MOSFET截止时提供负的UGS(N沟道MOSFET);
(5)功率MOSFET开关时所需驱动电流为ciss的充放电电流,MOSFET极间电容越大,所需电流越大,即带负载能力越大。
MOSFET驱动要求:
(1)出发脉冲要具有足够快的上升和下降速度;
(2)开通以低电阻为栅极电容充电,关断时为栅极电容提供低电阻放电回路,以提高MOSFET开关速度。
(3)为使功率MOSFET可靠触发导通,触发脉冲电压高于MOSFET的开启电压;
(4)为防止误导通,MOSFET截止时提供负的UGS(N沟道MOSFET);
(5)功率MOSFET开关时所需驱动电流为ciss的充放电电流,MOSFET极间电容越大,所需电流越大,即带负载能力越大。