sd nand ddr裸机 C语言代码

供电电压，主机发送引脚波形是否正常，发送有发送无接收看接收引脚是否虚焊，短接发送和接收，时钟是否开启配置是否正确，发送后有没有延时接收，协议中的校验是否通过，根据原理图，数据手册查看配置是否正确(寄存器，dts)。换板子。

emmc读写速度慢：是1线，还是4，8线，emmc和控制器本身支持的最高速率，还有dts的配置，cache（sync）是否有影响，驱动强度；回写，调度。

bus-width，驱动电流，控制器版本号，插卡dmseg无打印  fstab自动挂载

sd卡：工作在命令和响应模式

MSYS：cpu（1G）,ddr（200M）

DSYS: 视频，编解码

PSYS：内部外设，串口，sd接口，I2c,（前面30-40M）usb

block层：实现mmc为块设备，和块设备那套对接，实现并注册卡的驱动，加入到bus上。

core:抽象host,bus ,card实体，向底层提供便利的host要用的api。提供检测卡的插入，向bus注册sd卡。

host:提供并注册host驱动，实现host ops，用platform bus去match。

sd卡插入后的流程：中断检测总线上是否有卡，init card(standy_by),在bus上add card，找到driver match上，probe函数。

OCR: 卡操作电压寄存器 32位， 只读，每隔0.1V占1位， 第31位卡上电过程是否完成
CID: 卡身份识别寄存器 128bit,只读， 厂家号，产品号，串号，生产日期
SCR: 卡配置寄存器， 可写的 64bit 是否用Security特性(LINUX不支持)，以及数据位宽（1bit或4bit）
RCA: 卡地址寄存器： 可写的 16bit SD host和卡进行协商的一个地址，内核中会在代码里面记录这个地址，卡这       边则写到RCA寄存器
CSD: 卡专有数据寄存器 部分可读写 128bit， 卡容量，最大传输速率，读写操作的最大电流、电压，读写擦出块的最大长度等

硬件接口：

（SD卡有9个pin：1个VDD,2个VSS(GND)，CLK,CMD,DATA0-DATA3, 【DATA3可以作为卡检测脚】）

卡类型：1.不可知 2.sd_v1 3.sd_v2 34.sd_hc 5.mmc

sd卡状态机（总共9种）：1.空闲 2.准备好 3.transfer 4.出错状态 5.卡编程状态（在接口电路中，还没写到内存颗粒中）

卡回复类型（总共9种）

通信电压范围：2.0-3.6V；工作电压范围:2.0-3.6V

最大读写速率：10Mbyte/s

对F1来说，SDIOCLK来自HCLK(72Mhz，系统时钟)；对F4来说，SDIOCLK来自PLL48CK(48Mhz)。

控制器,resources（gpio,时钟，中断），sd卡

mmc裸机

状态机和命令

sd卡裸机代码（soc控制器和sd通信（发命令和收响应））

判断通道0（inand）还是通道2(sd卡)，

1.通过gpio（gpio复用）设置为sd卡工作模式(用哪些GPIO查原理图，数据手册，MMC_D0如GPJ0_3 查GPJ_0 可以配置成输入输出，sd，中断模式）

2.设置上拉 enable（GPG0PUD_REG）

3.设置soc控制器clk(96M 分频为48M)

4.sd卡控制器的一些设置，比如复位soc控制器（延时10ms判断），清中断

5.先设置sd卡时钟（400K,设置低版本的时钟，后面判断如果高版本设置高版本时钟）（时钟要等稳定），后面识别sd卡后再给合适的时钟

6.检查cmd线是否准备好（查看PRNSTS寄存器值）

7.检查data线是否准备好

8.发送cmd0(复位所有mmc卡到空闲状态),不需要response。

8.cmd8（命令吗+cmd type）查看是否有响应，没有就是卡的版本太低，或者没卡，不识别的卡，sd卡电压不对。等待sd 卡response,检查错误。

8.acmd41=cmd55+cmd41 acmd41有回复OCR寄存器就是sd卡，acmd41没回复就是mmc卡。根据OCR查看sd卡是否上电完成。

9.cmd2,读出卡的cid寄存器，cmd3，读出rca寄存器，读出卡的相对地址，使卡进入stand-by状态。

读写：

9. 发cmd7使卡进入transfer状态

10.cmd16设置块大小

11.获取csd相关信息，block大小，卡的容量

11.根据sd的版本重新设置时钟

12.清中断，cmd24 cmd25读写,此时sd卡变为programming状态，等写完成，转换为transfer状态

通道2的detect函数去掉

OCR: 卡操作电压寄存器 32位， 只读，每隔0.1V占1位， 第31位卡上电过程是否完成
CID: 卡身份识别寄存器 128bit,只读， 厂家号，产品号，串号，生产日期
SCR: 卡配置寄存器， 可写的 64bit 是否用Security特性(LINUX不支持)，以及数据位宽（1bit或4bit）
RCA: 卡地址寄存器： 可写的 16bit SD host和卡进行协商的一个地址，内核中会在代码里面记录这个地址，卡这       边则写到RCA寄存器
CSD: 卡专有数据寄存器 部分可读写 128bit， 卡容量，最大传输速率，读写操作的最大电流、电压，读写擦出块的最大长度等
 

命令：sd卡probe流程

SD卡的操作模式
卡识别模式
数据传输模式

最多支持64个命令： CMD0~CMD63,(其中CMD57~63是保留的)

卡寻址通过会话地址方式实现，地址在初始化的时候分配给卡。SD 总线上 的基本操作是command/response。 数据传送采用块方式，数据块后接CRC 校验位，操作包括单数据块和多数据块。多数据块更适合快速写操作，多数据块传输当在 CMD 线出现停止命令时结束。 数据传输可以在主机端设置采用单数据线或多数据线方式。 块写操作在DAT0 数据线写操作期间使用忙信号，无论用来传输的信号线数 目是多少。

MMC/SD通过发命令的方式来实现卡的初始化和数据访问
命令：通过CMD线
响应：通过CMD线
数据：通过4条数据线

命令类型：

Broadcast Commands ( bc), no response
Broadcast Commands with Response (bcr )
Addressed (point-to-point) Commands (ac )
Addressed (point-to-point) Data Transfer Commands (adtc)

问题，

1.从csd寄存器读出卡的版本信息，能读出来，但是如果卡的版本信息大于5就报错。

nand（nand芯片本身（包含接口电路，存储空间），soc nand flash控制器）

nand寻址的最小单位是字节。

nand的最小读写单位是page。页对齐。

page上面是block(例如1block= 64 page)

page是读写的最小单位，block是擦除的最小单位。

地址有30位，而io线只有8位(有些有16位)，需要通过4cycle或者5cycle来发送。

2K+64 64是ECC和坏块标记。

soc中有一个nand控制器。

现在有些块设备可以支持random read。

命令，地址，数据。

坏块检查：1.线块擦除 2.再读出来，检查是否0xff(是表明不是坏块)

擦干净是0xFF

初始化：

1.配置nandflash rNFCONF rNFCONT

2.配置GPIO

3. nand_reset

读

获取row地址，发出片选信号，清0状态位。

write 00h(命令线)（写是80h）->

write address（地址线）(通过5cycle写入页地址)->

清status寄存器(rNFSTAT)->

write data（数据线）->

write 10h（命令线）->

等待空闲->

nand_read8(例如读一页2K的数据)

（读取read status register）：根据状态寄存器判断数据是否写成功(将页数据写到接口电路缓冲区，接口电路将数据从缓冲区写到真正的存储系统中需要时间（soc不断读取状态寄存器（soc控制器自带，soc发命令响应得到），只有nand接口电路写完）)->

读状态：读取是否写成功，不管是否写成功取消片选

ECC(nand控制器主要的寄存器)(用SFR来控制，通过读写SFR寄存器来读写nand芯片)

soc控制器的寄存器：

1.NFCONF（设置5 cycle）

2.NFCONT

3.NFCMD NFADDRESS NFDATA

4.NFECCD0-4

5.NFSBLK(操控块，放块地址)

6.NFSTAT（状态寄存器）

C语言

擦除

int nand_block_erase(unsigned long block_num)

{

计算：row =block_num *nand_block_size(row地址，即页地址)

片选

发送命令->row address（rNFADDR）->rNFSTAT(清状态位)->发送命令->等待状态位变化（标志写完成）->校验（读）

取消片选

}

ddr裸机代码

chanel>dimm>rank>chip>BANK>row/colomn

1个i7 cpu->2个channel->每个channel2个DIMM->每个DIMM两个rank->每个rank有8个chip(内存颗粒8bit,cpu64bit,需要8个chip)->每个chip八个bank

ddr接口：

x210 2个DMC(DRM0,DRM1,每片256M内存) 一共2片内存（2 chip） 4bank 13根地址线 BA0-BA3:选bank 32根数据线

DMC0 0x20000000-0x2FFFFFFF 256M

MDC1 0x30000000-0x3FFFFFFF 256M

BA0-BA3（2的3次方）:选bank 8个bank(128Mib/每个，即16M) 再通过row(14)+colomn(10) address

2的24次方(2的20次方是M，这里是2的4次方)是16M（128Mbit）

ddr裸机（根据数据手册27步操作）

DMC0

1.设置io端口强度（和总线连接，抗干扰）数值：1x,2x,3x,4x（例如：ELFIN_GPIO_BASE,MP1_0DRV_SR_OFFSET）

2.设置ddr时钟：(APB_DMC_0_BASE+DMC_CONTROL0) 同步工作DLL PLL(倍频)通过时钟总线 200M->1G PLL（锁相环，时钟稳定）

3.关闭自动重刷新 DMC0_CONTROL(时序不会)

4.设置burst length(4或者8,一次读取多少位)，设置2chip  DMC0_MEMCONTROL

5.(memconifg寄存器)1.设置DMC0的起始地址（0x20对0x20000000）2.设置基地址演码（即设置内存长度，0xF8对0x7 相反，F0000000和0FFFFFFF相对（256M）,如果是E0（512M））3.设置row和colomn 4.设置8bank DMC_MEMCONFIG_0

6.设置auto refresh时间 TIMINGAREF 7.8us*133Mhz=1038 0x40E x210时钟200M（0x618）

7.发送命令吗 1.nop 命令7 2.PLL 1 3.EMSR等等。  DMC_DIRECTCMD 

按照ddr控制器时序要求,ddr的配置非常专业细致，ddr源厂配置。我们只要配置一些通用的参数。

放到start.s中测试。led灯亮