史上最强天线效应详解及解决方法

1、天线效应概念

在芯片制造过程中，MOS管的栅氧化层上连接了一大片的导体，当进行离子刻蚀时，那个大片导体像一根天线一样，不断地收集电荷，使得导体上的电压越来越高，最终击穿MOS管的栅氧层，使MOS管失效，这就是天线效应（PAE，process antenna effect）。

2、天线效应产生的条件

①发生在芯片制造过程：在运输，存储，和应用时不会发生。

②发生在离子刻蚀时：只有在离子刻蚀时才存在带电的粒子，悬空的导体会吸收这些带电的粒子产生电压。

③发生在栅氧层上：栅氧层是一层薄膜sio2，当栅极的悬空导体吸收了大量的带电粒子后，栅极电位被抬高，最后可能会击穿栅氧。源极和漏极不会发生天线效应，因为源漏极不存在sio2隔离层，直接contact打到金属层，加上其本身存在寄生二极管，可以将源漏上悬空的导体收集的电荷泄放掉，从而不会对源漏造成损伤。

④栅氧上必须要有大片导体：导体包括多晶硅poly层和金属层，因为poly和金属都是可以导电的，大面积的poly和大面积的金属都会导致天线效应。Layout上应该注意不要使用poly连长线，poly发生天线效应只能够将其砍断，改用金属连线才可以防止，加泄漏二极管是没有意义的，因为二极管需要通过金属连出电极，最后还是得经过过孔连到poly上，在刻蚀poly时金属还未做，此时二极管压根没连到poly上，起不到泄放电荷的作用。

3、产生天线效应的评估条件

DRC规则中一般用天线比率来判断是否会发生天线效应。天线比率是指连接到同一点的导体面积和栅氧面积之比。通过DRC的antenna rule可以检查出来违反天线效应规则的net。

4、解决天线效应的方法

①向上跳线：切断长的走线，向上跳线，当该层金属收集电荷时，上层金属还未做，相当于减少了天线的面积，可以防止天线效应。这种方法会增加走线复杂度，而且在高速信号时还会影响时序。

*****特别注意：向下跳线不能解决天线效应，应为当该层金属收集电荷时，下层金属已经做好了，并将切断的该层金属连在一起，并未减少了天线的面积，因此不能防止天线效应。

②插入反向二极管：芯片正常工作时，二极管处于反偏状态，不会影响电路功能。当发生天线效应时，反偏二极管优先MOS击穿，将天线上收集的电荷释放掉，达到保护MOS管的作用。一般stdcell中会提供这种防天线的二极管器件，在原理图和layout中添加进去即可。如果没有的话，可以自己手画一个，或者是调用一个pdk中的二极管，需要注意的是要保证正常工作时二极管处于反偏的状态，或者会出现漏电或者功能不正常等问题。 使用这种方法可能会增加芯片面积，需要综合考虑。

③在所有输入gate端口上加保护二极管：这跟第二中方法类似，肯定不会出现天线效应，弊端就是会浪费很大一部分芯片面积。一般我们只需要处理drc报出来的天线效应即可。

④将金属线切断插入buffer：这跟第①中方法类似，实质上是减小天线面积，但是会增加信号的延时，对时序要求比较高的电路不适用。而且，这种方法不适用于模拟信号，只适用于数字信号。