概念
在芯片制造的过程中,连接Gate的metal层相当于一个天线,它会收集一些工序中产生的电荷,例如反应离子刻蚀或者等离子体相关的工序。当这些电荷积累到一定程度,就会对gate oxide造成损伤,这种现象就叫做天线效应。
影响
天线效应会对gate oxide造成不可逆转的损伤,导致芯片的可靠性降低,例如TDDB问题。天线效应也会影响晶体管的性能,例如阈值电压Vt偏移、跨导下降以及sub-Vt swing变差。
解决办法
为了检测和预防天线效应,Fab会有一套antenna rule来规范芯片设计和制造。天线效应的设计规则主要是限制浮动金属层(电荷收集区域)与栅极的面积比。这个比例称为天线比,它决定了栅极氧化层的击穿风险。一般来说,天线比越小,天线效应越小。不同的工艺节点和金属层可能有不同的天线比限制。如果违反了天线规则,就需要采取一些措施来避免或减轻天线效应,常见的有三种措施:
① 向上跳层,将面积违例的金属层分成多段,以达到减小"天线"面积的目的
② 在有天线效应违例的net上挂反向的antenna diode以泄放金属层收集到的电荷。(在芯片制造的过程中,由于温度和环境光子等因素,反向antenna diode 等效于一个电阻,diode面积越大,电阻越小,能泄放的电流越大,对gate 保护效果越好)
③插入buffer,减小net长度达到减小“天线”面积的目的。