天线效应antenna effect

概念

在芯片制造的过程中，连接Gate的metal层相当于一个天线，它会收集一些工序中产生的电荷，例如反应离子刻蚀或者等离子体相关的工序。当这些电荷积累到一定程度，就会对gate oxide造成损伤，这种现象就叫做天线效应。

影响

天线效应会对gate oxide造成不可逆转的损伤，导致芯片的可靠性降低，例如TDDB问题。天线效应也会影响晶体管的性能，例如阈值电压Vt偏移、跨导下降以及sub-Vt swing变差。

解决办法

为了检测和预防天线效应，Fab会有一套antenna rule来规范芯片设计和制造。天线效应的设计规则主要是限制浮动金属层（电荷收集区域）与栅极的面积比。这个比例称为天线比，它决定了栅极氧化层的击穿风险。一般来说，天线比越小，天线效应越小。不同的工艺节点和金属层可能有不同的天线比限制。如果违反了天线规则，就需要采取一些措施来避免或减轻天线效应，常见的有三种措施：
① 向上跳层，将面积违例的金属层分成多段，以达到减小"天线"面积的目的
② 在有天线效应违例的net上挂反向的antenna diode以泄放金属层收集到的电荷。（在芯片制造的过程中，由于温度和环境光子等因素，反向antenna diode 等效于一个电阻，diode面积越大，电阻越小，能泄放的电流越大，对gate 保护效果越好）
③插入buffer，减小net长度达到减小“天线”面积的目的。