从零开始讲DDR（1）——DDR简介

一、DDR简介

        DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous  DYNAMIC RAM）中文名是：双倍数据速率同步动态随机存储器。

        传统的SDRAM只在时钟信号的上升沿传输数据，而DDR可以同时在时钟的上升沿和下降沿传输数据，因此在同样的时钟频率下，DDR内存的传输速率是SDRAM的两倍。这就是“Double Data Rate”（双倍数据速率）的含义。所谓同步指的是DDR是同步内存的一种，同步内存与系统时钟信号保持同步。动态是指DDR中的数据断电后无法存储，且需要周期性刷新。所谓随机存取，代表用户可以随机操作任意地址的数据。

版本	发行年份	电压 (V)	数据速率 (MHz)	带宽 (MB/s)	引脚数量 (DIMM)	特点
DDR1	2000	2.5	200 - 400	1600 - 3200	184	DDR1是第一代双倍数据速率内存。它通过双边缘的数据传输，提供了比传统SDRAM快一倍的传输速率。
DDR2	2003	1.8	400 - 800	3200 - 6400	240	DDR2进一步提高了数据速率，优化了信号传输，支持更高的时钟频率，并通过降低电压实现了更好的功耗控制。
DDR3	2007	1.5	800 - 1600	6400 - 12800	240	DDR3提供了更高的频率和带宽，并支持更大的内存模块容量。与DDR2相比，DDR3在性能和能效上都有显著提升。
DDR4	2014	1.2	1600 - 3200	12800 - 25600	288	DDR4在能效、数据速率和容量方面有显著提高，能够支持更大的内存模块。它的时钟频率更高，延迟优化，满足了当代计算机和服务器对高带宽的需求。
DDR5	2020	1.1	3200 - 6400	25600 - 51200	288	DDR5在数据速率、带宽和效率上都有极大的提升，尤其适合高性能计算、AI、大数据等对内存有极高需求的应用。DDR5还引入了更智能的电源管理和更高的能效优化。

二、内存原理

        对于一块内存条来说，它是由很多部分构成的，其中最重要的部分就是内存颗粒。

        从内存控制器到内存颗粒内部逻辑，笼统上讲从大到小为：channel＞DIMM＞rank＞chip＞bank＞row/column，如下图：

        我们举一个现实的例子来介绍这部分内容， 一个i7 CPU支持两个Channel（双通道），每个Channel上可以插俩个DIMM（这里可以直接理解成内存条）,而每个DIMM由两个Rank（Physical Bank）构成，8个chip组成一个Rank。由于现在多数内存颗粒的位宽是8bit,而CPU带宽是64bit，所以经常是8个颗粒可以组成一个Rank。

 

 

        这是个DDR3一个Rank的示意图。我们把左边128MB Chip拆开来看，它是由8个Bank组成，每个Bank核心是个一个存储矩阵，就像一个大方格子阵。这个格子阵有很多列（Column）和很多行（Row），这样我们想存取某个格子，只需要告知是哪一行哪一列就行了，这也是为什么内存可以随机存取而硬盘等则是按块存取的原因。

        实际上每个格子的存储宽度是内存颗粒（Chip）的位宽，在这里由8个Chip组成一个Rank，而CPU寻址宽度是64bit,所以64/8=8bit，即每个格子是1个字节。

三、DDR原理

3.1 Bank、Row、Column

        在这里我们暂时不关心cpu与DDR之间的联系了，我们聚焦于DDR内存芯片本身，对于一个完整的DDR芯片，我们把它考虑成一个chip的概念。因此，我们现在的讨论重点就落到了chip＞bank＞row/column。

        chip不必多说，bank代表的就是区域，如果把DDR理解成一组存放了不同数据的表格，那么Bank（简写B）就是用来区分不同表格的，而row（简写R）表示行地址，Column（简写C）表示列地址。

        有了这三个基本概念，我们就可以计算一块DDR chip的存储区域大小了。例如bank地址线位宽为3，行地址线位宽为13，列地址线位宽为10。那么其对应的空间应该是2^3 * 2^13 * 2^10 = 2^26 =64Mb。在考虑上每个空间可以存储的数据位宽（数据线位宽），那么其总容量是64Mb * 16 =128M Byte = 1G bit。

3.2 内部结构

        了解了描述DDR的几个基本概念，接下来我们来了解一下DDR的内部结构，下图给出了一个DDR的内部结构示意图：

         我们忽略一部分电源信号、配置信号和时钟信号，把关注的重点放在控制信号、地址信号和数据信号上。

        对于控制信号，主要包含以下的几个（其中的CKE为时钟使能，CK,CK#为时钟信号，这里不做讨论）：

 

信号名	输入/输出	描述
RESET#	input	DDR的复位信号，低电平有效
A12	input	这是一个多功能引脚，通常表示地址引脚（A12），但在特定情况下也可以作为突发截断（Burst Chop, BC#）信号。A12的功能取决于是否在模式寄存器 (MR) 中启用了该功能。 模式寄存器用于配置存储器的工作模式，包括突发长度（Burst Length, BL）等。
CS#	input	DDR芯片使能，用于多个RANK时的RANK组选择。
RAS#	input	行地址选通
CAS#	input	列地址选通
WE#	input	写使能信号

        接下来我们介绍一下地址信号，对于我们这次展示的这块DDR来说，地址相关的信号共有18位，其中3为用来表示bank地址线（BA[2:0]）。行地址和列地址在内存访问过程中不是同时给出的，而是按顺序提供的，通常遵循以下步骤：

1. 行地址（Row Address）优先：在内存访问时，首先执行的是 ACTIVATE 命令。该命令会提供 行地址，用来选择内存阵列中的特定行。行地址通过地址引脚传输，并且内存控制器会激活对应的行。这一过程将选定行加载到行缓冲区，准备后续的读写操作。

2. 列地址（Column Address）接着提供：行激活完成后，接下来是 READ/WRITE 命令，这时会给出 列地址，用于选择激活行中的特定列，定位到要读写的具体存储单元。列地址通过相同的地址引脚传输，并结合已经激活的行，确定最终的存储位置。

3. 预充电（Precharge）：在完成读写操作后，可以通过 PRECHARGE 命令关闭当前激活的行，使其返回到非激活状态，为下一个行访问做好准备。

         从图中我们可以获知：行地址使用了15位（A[14:0]），列地址使用了10位（A[9:0]）。

        最后，我们来关注一下这块DDR的数据信号：

信号名	输入/输出	描述
DQ[7:0]	inout	数据信号，这里的位宽为8
TDQS#	output	当 TDQS（Termination Data Strobe） 被启用时，数据掩码信号 DM 会被禁用。
DQS/DQS#	inout	作为数据传输的参考时钟，确保数据的采样和发送与时钟同步。“选通”指的是控制信号的开启或关闭，即 DQS 信号控制了数据的传输窗口。它类似于一扇门，当 DQS 信号处于高电平时，数据传输被允许，当信号处于低电平时，数据传输停止。读操作：数据选通信号（DQS）与读数据边沿对齐。写操作：数据选通信号（DQS）与写数据中心对齐，确保数据的稳定传输。

        除此以外，在有的DDR中还会涉及到数据掩码，这部分我们会在后续的内容中继续深入学习。