在硬件电路设计时,特别是在使用微波高频射频开关等器件时,有很多器件需要用到负电控制,而我们常用的AMR或FPGA等MCU控制芯片输出的电压往往是+3.3V,即使是常用的译码器等,输出的也通常是正电LVTTL或CMOS电平,那么我们该如何处理成负电呢?
方法1、
用FET驱动芯片,将这些控制电平转换为我们所需要的负电进行控制,很多公司都有现成的FET驱动芯片,不过体积一般比较大,并且价格也不低;
方法2、
用三极管进行电源极性的翻转,三极管的方法也不失为一个好方法,但是三极管只能转换一路,不易级联等;
方法3、
使用一个稳压二极管与反相器来实现控制电压极性的翻转,该方法的优点是如果选用双非门的话,则可以输出两个互补的控制信号,并且二极管和非门的体积很小,电路很容易实现,小体积情况下也方便布局,输出的控制电压可根据所选用的器件决定。
原理如下图所示:
如上图所示,我们需要用MCU_OUT控制线去控制C点(被控制器件1)以及D点(被控制器件2)。
该例选用一个稳压二极管与一个双非门反相器(为了便于实现两个互补的C、D控制电平)。
我们将反相器原来的电源VCC接地,反相器原来的GND接负电源(注意:如果C、D两点的控制电为-3.3V,那么-VCC=-3.3V,如果需要-5V,则-VCC=-5V即可。如果需求的-3.3V接到了-5V,很可能烧坏芯片哟,所以注意电压范围)。
此时,当A点MCU_OUT信号为低电平(即0V)时,B点为高(-VCC),经过反相,C点为低(0V),因为D和D互为反相,所以D点为高(-VCC);
当A点MCU_OUT信号为高低电平(即+3.3V)时,B点为低(0V),经过反相,C点为高(-VCC),因为D和D互为反相,所以D点为高低(0V);
如下表所示:
用以上电路就可以不用FET 驱动器芯片,并且具有体积小,低成本等优势,何乐而不为呢?