MOS管和IGBT管都是常用的开关元件，MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）以其高输入阻抗、快速开关和热稳定性良好等特点在放大器、电子开关等应用中常见。而IGBT（绝缘栅双极型晶体管）结合了MOSFET和晶体三极管的优点，适合高压大电流场景。尽管两者有相似之处，但IGBT在导通电阻和耐压方面更优，常用于交流电机、变频器等领域。选择使用哪种元件通常取决于系统电压、电流和切换功率需求。
在电路设计中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？
下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！
什么是MOS管？
场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。
MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
如上图，MOSFET种类与电路符号。
有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。
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