【原创】高速电路设计实践学习笔记-第8章(3)

四、PCB设计与电源完整性

1、高速设计中,低电压、高电流是趋势。

2、电源平面目标阻抗计算:

                                                                      Z_{0}=\Delta V/\Delta I

                                               ΔV为纹波电压波动范围,ΔI为动态电流波动范围

3、PI设计的目的:使单板上各处电源与地平面之间的阻抗低于目标阻抗

4、减小电源、地平面之间的距离,利于减小电源平面的阻抗,层间寄生电容可以有效滤波。

5、高速电路电容引线:

  • 高速电路电容主要作用:提供噪声的低阻通路;为电流波动大的器件提供本地电源“小池塘”
  • 电容引脚引线越长,感性越大,谐振频率越低,这将导致电容在低频段表现出感性,甚至出现谐振,不仅不去耦,还影响了PI。
  • 电容引线宽度增加1倍,阻抗只减小20%。但引线长度基本与阻抗成线性关系。因此缩短引线长度才能有效减少阻抗,企图增加引线宽度改善阻抗效果不明显。
  • 可以通过在电容引脚上接2个引线过孔来进一步改善引脚引线对PI的影响。

6、电源过孔尽量采用花焊盘过孔。

7、通流能力包括两方面:电源过孔的通流能力,电源平面的通流能力。

8、通流能力计算通用公式:

名称

公式

注释

通流能力计算通用公式

I_{max}=K\cdot T^{0.44}\cdot A^{0.725}

Imax--最大通流(A)

K--降额参数,外层为0.048,内层为0.024

T--通流路径上最大允许温升(℃)

A--通流路径横截面积(mil2)

1mil=0.0254mm

过孔通流能力计算

I_{max}=K\cdot T^{0.44}\cdot \left (\pi \cdot d\cdot h \right )^{0.725}

d-过孔内径大小(mil)

h-孔内铜箔厚度(mil)

电源平面通流能力计算

I_{max}=K\cdot T^{0.44}\cdot \left (w\cdot h \right )^{0.725}

w-计算位置电源平面宽度(mil)

h-电源平面铜箔厚度(mil)

9、通流能力计算注意公式仅做参考,且应降额后用于指导

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