STI、LOD与WPE概念：形成机理及对电路设计的影响

最新推荐文章于 2024-07-27 14:55:41 发布
最新推荐文章于 2024-07-27 14:55:41 发布
阅读量5.4w 收藏 512
点赞数 66
分类专栏： 模拟IC设计 文章标签： 模拟IC设计 工艺制程 基本器件
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/cocoqoo/article/details/92635822
版权

根据网络资料综合

文章目录

LOD的概念

LOD是 Length of Diffusion的缩写，当拥有相同的Gate Length和Gate Width的两个MOS，因为扩散区长度不同造成其电流不同所产生的效应为LOD效应。如下图，两个MOS (A和B)其Gate Length Gate Width皆为0.5um和2um，但由于扩散区分别为1um和1.5um，所以其电流大小并不同。
LOD示意图
从0.25um以下的制程，组件之间是利用较先进的STI(Shallow Trench Isolation)的方法来做隔绝。 STI的作法，会在substrate上挖出一个沟槽，再填入二氧化硅当绝缘层。这个在substrate挖出沟槽的动作会产生应力的问题，由于FOX(Field Oxide)到Poly Gate的距离不同，应力对MOS的影响也不同。

STI的概念

STI是Shallow Trench Isolation的缩写，STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。为了完成有源器件的隔离，在它周围必须形成绝缘侧壁，在较为先进的CMOS工艺制成中，通常用STI的方法来做隔离。浅槽隔离利用高度各向异性反应离子刻蚀在表面切出了一个几乎垂直的凹槽。该凹槽的侧壁被氧化，然后淀积多晶硅填满凹槽的剩余部分。
STI示意图
在substrate挖出浅槽时会产生压力的问题。由于扩散区到MOS

最低0.47元/天 解锁文章
luobingyin
关注
专栏目录
STI、LOD与WPE概念：STI效应对SPICE Model的影响
cocoqoo的博客
06-17 9659
STI效应主要影响SPICE的Stress Effect Model，应力对MOS特性的影响主要体现在迁移率和饱和速度两个参数上，但是由于掺杂分布也会受到不同SIT尺寸和应力的影响，因此阈值电压和一些二级效应例如DIBL、体效应都会相应受到影响。 BSIM4在对Stress Effect进行建模时，主要考虑其对迁移率、饱和速度、阈值电压、体效应和DIBL的影响。 BSIM4使用STIMOD对STI...
WPE WPE教程 WPE原理
07-25
WPE WPE教程 WPE原理 教你最基本的
STI应力对90 nm SONOS存储器的影响分析 (2010年)
04-23
随着 CMOS工艺按比例缩小到90 nm以下,浅沟槽隔离( STI)引起的机械应力对 MOSFET器件性能的影响 越来越严重。通过实验和 TCAD仿真研究了 STI应力对一种 SONOS结构的90 nm非易失存储器的影响。实验和 仿真结果表明由于受到 STI压应力的作用,靠近 STI的 SONOS边角存储单元和远离 STI的中心存储单元存在阈值 电压分布不一致的问题。为了减小 STI应力对边角存储单元的影响,分别采用 STI recess和 STI Si3N4 liner两种工 艺去减缓STI产生的压应力
模拟设计中的布局相关和 LOD 效果
Jesse0257的博客
07-27 459
所有这些都打破了现有的定制设计流程，传统上，电路设计师将初步原理图（可能使用估计的寄生参数进行模拟）交给布局工程师，然后布局工程师创建初始布局以提取实际寄生参数。芯片上掺杂水平的变化通常被认为是一维或二维的梯度变化，可以通过巧妙的布局（例如共质心器件）来处理。片上功率器件产生的温度变化也是如此：当功率转换/调节器件上的电流达到 10 A 或更高时，热梯度就会成为一个真正的问题。其他影响可能是由于硅中的意外应力造成的，例如由器件之间的浅沟槽隔离引起的。器件与阱边缘的距离会影响器件的 Vt（阈值电压）。
WPE effect
zyn1347806的博客
11-23 6493
Well Proximity Effect，简称WPE，中文叫"井邻近效应"。白话一点来说，是靠近井(Well)所造成的效应。 WPE的原因可是Well PR挡掉的部份会跑到Well去，造成在靠近Well边缘的位置参杂浓度比较高，也就是整个Well的参杂浓度就会不均匀，造成靠近Well边缘的Device其Vt(Threshold Voltage)比一般的Device高。所以我们在电路设计和Layout上必须要考虑WPE的影响。图一：由前ㄧ段的介绍可知，Device到Well Edge的距离是WPE最重要.
WPE详细教程带图文并茂、带实例详细讲解
04-29
WPE详细教程带图文并茂、带实例详细讲解WPE详细教程带图文并茂、带实例详细讲解
WPE & LOD（应力效应）
热门推荐
zhangzker的博客
04-18 1万+
LOCOS：         鸟嘴，H/W小，不太适合CMP工序 STI：         H/W大，便于CMP工序         就是挖沟，填二氧化硅隔离介质{Mos比喻成城池，STI就是护城河}         sti_mask-->size (diffusion or (diffusion and poly)) by value Proximity Ef
【半导体先进工艺制程技术系列】STI应力效应（LOD效应）
粉色挖掘机的博客
08-15 1万+
【半导体先进工艺制程技术系列】STI应力效应（LOD效应），内容包括LOD效应基本定义，电流镜电路基本原理，伪器件电路的用途，即以电流镜和添加伪器件电流镜电路的版图设计为例进行分析。
LOD
痞子龙3D编程
03-19 7672
<br />       LOD技术指用若干不同复杂度的模型来表示同一对象的技术。此技术主要根据视点距离对象位置的变化调用不同复杂度的模型，即在较远时调用低复杂度模型，在较近时调用高复杂度模型。LOD技术主要通过设置模型的Switch In Switch Out值来实现不同视点距离显示不同复杂度模型。在实际开发中注意相邻复杂度模型中低复杂度模型的多边形数目是高复杂度模型多边形数目的75%。采用该技术不但可以增强场景的逼真度，也可以减少场景绘制的多边形的数量，既提高了可视性又节约了系统资源。<br />   
STI、LOD与WPE概念：WPE效应对SPICE Model 的影响
cocoqoo的博客
06-17 1万+
WPE效应主要影响SPICE的Well Proximity Effect Model，WPE对MOS特性的影响主要体现在阈值电压、迁移率和体效应上。WPE效应与FET和MASK边缘距离强相关，BSIM4中WPE效应影响的阈值电压、迁移率、和体效应所对应Model参数分别为VTH0、U0、K2，通过SCA、SCB和SCC三个参数对上面三个参数产生影响。 在对WPE的建模主要考虑时FET与阱四周的距...
WPE专业版V1.0
09-01
WPE（Winsock Packet Editor） 它的中文名称是：网络封包编辑器在大多数的编程工具中winsock已经封装成一个控件，成为网络编程的控件，是非常方便的
OpenGL中实现层次化细节（LOD）：技术详解与应用实践
最新发布
09-13
LOD技术的核心思想是根据物体与观察点的距离，动态选择不同细节级别的模型进行渲染，从而在保证视觉效果的同时，提高渲染效率。本文将详细介绍LOD技术的工作原理、在OpenGL中的实现方法，以及如何在实际项目中应用...
lod-audio:一个NPM软件包，用于从Letzbuerger在线词典（LOD）中提取音频数据
05-14
一个NPM软件包，用于提取Lützebuerger在线词典（LOD）的音频数据。 作者： 执照：麻省理工学院Npm软件包： ://www.npmjs.com/package/lod-audio GitHub： : 安装 $ npm install lod-audio 用法 从package.json...
STI、LOD与WPE概念2：减少或避免WPE/STI效应对IP模块设计的影响
cocoqoo的博客
06-17 1万+
根据网络资料整理 文章目录电路设计中减小STI、WPE的影响版图设计中如何减小STI、WPE的影响总结 随着深亚微米工艺的发展，CMOS制造工艺对设计的影响也越来越大。在0.18um以前都可以忽略的工艺影响，在工艺一步一步发展的情形下，制造工艺所带来的影响变成了芯片设计中不可忽视的因素。本文诠释了制造工艺的两个重要效应：STI、WPE。通过对两种效应的分析，提出了在芯片设计阶段考虑它们的必要性。特...
IC后端物理效应WPE--Well Proximity Effect（阱临近效应）
Carol0630的博客
02-15 8153
WPE: Well Proximity Effect, 阱临近效应 LOD: Length of Diffusion, 扩散区长度效应
OD Space Effect & LOD Effect & Poly Space Effects
zyn1347806的博客
11-23 1万+
这两个效应都是STI引起的，所以就放在一起讲。 OSE: OD Space Effect, 扩散区/有源区间距效应 从0.20米以下的半导体制程，利用STI的方法来实现gate的隔离，STI到不同gate的距离不同从而对器件的性能产生的影响就叫OSE。 什么是LOD Effect?从0.25um以下的制程，元件与元件间是利用较先进的STI(Shallow Trench Isolation)的方法来做隔绝。由于STI的作法，会在substrate上挖出一个沟槽，再填入二氧化矽当绝缘层。这个在sub.
osg::LOD使用方法
05-17
osg::LOD（Level of Detail）是OpenSceneGraph中的一个节点，用于管理不同级别的几何细节。 osg::LOD的使用方法如下： 1. 创建osg::LOD对象 ```c++ osg::ref_ptr<osg::LOD> lod = new osg::LOD; ``` 2. 设置LOD的中心点 ```c++ lod->setCenter(osg::Vec3(0,0,0)); ``` 3. 设置每个级别的距离范围和几何体 ```c++ osg::ref_ptr<osg::Geode> geode1 = new osg::Geode; osg::ref_ptr<osg::Geode> geode2 = new osg::Geode; osg::ref_ptr<osg::Geode> geode3 = new osg::Geode; // 设置每个级别的距离范围 lod->setRange(0, 0.0f, 50.0f); lod->setRange(1, 50.0f, 100.0f); lod->setRange(2, 100.0f, FLT_MAX); // 设置每个级别的几何体 lod->addChild(geode1.get(), 0.0f, 50.0f); lod->addChild(geode2.get(), 50.0f, 100.0f); lod->addChild(geode3.get(), 100.0f, FLT_MAX); ``` 4. 将LOD节点添加到场景图中 ```c++ osg::ref_ptr<osg::Group> root = new osg::Group; root->addChild(lod.get()); ``` osg::LOD可以根据观察者与LOD中心点的距离自动选择最合适的级别，从而提高渲染效率。
评论 3
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值