半导体知识:蚀刻(Etch)工艺讲解

本文转载自微信公众号 - 半导体行业观察  , https://mp.weixin.qq.com/s/F3LXiub6n4iYsQDqDH9K_g

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回答: 在TFT-LCD制造过程中,干法刻蚀是使用RIE模式(Reactive Ion Etching Mode)进行的。干法刻蚀主要分为物理蚀刻和化学蚀刻两种方式。物理蚀刻是通过氩气(Ar)轰击wafer表面材料,由于氩气是惰性气体,不会影响plasma的化学性质,从而实现蚀刻效果。化学蚀刻则是使用含碳氟气体(CXFY),其中F自由基与Si结合生成气态的SiF4,副产物容易被抽走。\[2\]干法刻蚀的工艺参数可以调节刻蚀速率,但实际上,刻蚀前的准备和刻蚀后的处理也会影响产量。因此,在工艺过程中,真空设备的抽气时间、吹扫时间以及物料的传送等动作都需要考量。\[3\] #### 引用[.reference_title] - *1* *3* [【面板制程刻蚀篇】史上最全Dry Etch 分类、工艺基本原理及良率剖析](https://blog.csdn.net/weixin_39524842/article/details/112028057)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insertT0,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] - *2* [4、干法蚀刻(dry etch)原理介绍](https://blog.csdn.net/weixin_39604983/article/details/111716440)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insertT0,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] [ .reference_list ]

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