硬件开发（1）-MOSFET选型

1. 选用N沟道还是P沟道，一般情况下选择N沟道mos，型号较多，成本低。

2. 根据温度等选取有关封装，直插式（散热较好，但安全系数较低，在一些易振荡场合下容易断），贴片式（散热较差，稳定性较高）

3. 确定耐压值，即Vds，一般情况下，其值要大于干线电压或总线电压，另一种说法为基本为2倍耐压安全裕量，但器件的耐压值越高，其成本也是越高的。

4. 确定额定电流，即Id，一般情况下要大于其尖峰电流

5. 确定结温最大值，一般MOS管的实际结温为最大环境温度+Id2*Rds（on）

6. 确定开关损耗，MOS开关的总功率为{Eon（开通损耗）+Eoff（关断损耗）}*开关频率（简易算法）

7. 如果系统对开关性能要求比较高，可以选择栅极电荷QG比较小的功率MOSFET，以便应对开关过程中的高速电压瞬变(dv/dt)和电流瞬变(di/dt)，甚至可在更高的开关频率下可靠工作。