半导体制作工艺可分为前端和后端：前端主要是晶圆制作和光刻（在晶圆上绘制电路）；后端主要是芯片的封装。随着前端工艺微细化技术逐渐达到极限，后端工艺的重要性愈发突显。作为可以创造新附加价值的核心突破点，其技术正备受瞩目。
介绍半导体的特征及工艺：“计算机与晶体管（Computers and Transistors）”、“工艺与氧化（Process and Oxidation）”、“光刻（Photolithography）”、“蚀刻（Etching）”、“沉积（Deposition）”和“金属布线（Metal Wiring）”。这些文章着重于说明技术之间的相关性。
晶圆经过测试后，首先要经过背面研磨（Backgrinding），以达到所需厚度；然后进行晶圆切割（Wafer Sawing），将晶圆切割成芯片；选择质量良好的芯片，通过芯片贴装（Die Attach）工艺将芯片连接到引线框架或基板上；之后通过引线键合（Wire Bonding）的方式实现芯片与基板之间的电气连接；最后使用环氧树脂模塑料（EMC）进行密封保护。引线框架封装和基板封装在前半部分流程中均采用上述步骤。
在后半部分流程中，引线框架封装采用如下步骤：通过切筋（Trimming）1的方式将引线分离；通过电镀（Solder Plating）将锡球置放至引线末端；最后是成型（Forming）工艺，成型工艺将封装分离为独立单元，并弯曲引线，以便将它们连接到系统板上。而对于基板封装，则是在进行植球（Solder Ball Mounting），即锡球被焊接在基板焊盘上之前，先完成模塑；之后进行切割，成为独立封装，也可称之为切单（Singulation）。接下来的内容中，将阐述传统封装方法的组装工艺，并重点介绍基板封装的八个步骤。
最后，欣赏一下芯片宏观到微观的照片。
内存芯片放大到100nm的模拟动画
文章列表：
半导体前端工艺｜第四篇：刻蚀——有选择性地刻蚀材料，以创建所需图形
半导体前端工艺｜第五篇：沉积——“更小、更多”，微细化的关键
半导体前端工艺｜第六篇（完结篇）：金属布线——为半导体注入生命的连接
半导体后端工艺｜第四篇：了解不同类型的半导体封装（第二部分）
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