STM

一、 STM32启动配置

在STM32F10xxx里，可以通过BOOT[1:0]引脚选择三种不同启动模式。

在系统复位后，SYSCLK的第4个上升沿，BOOT引脚的值将被锁存。

用户可以通过设置BOOT1和BOOT0引脚的状态，来选择在复位后的启动模式。

在从待机模式退出时，BOOT引脚的值将被被重新锁存；因此，在待机模式下BOOT引脚应保持为需要的启动配置。在启动延迟之后，CPU从地址0x0000 0000获取堆栈顶的地址，并从启动存储器的0x0000 0004指示的地址开始执行代码。

因为固定的存储器映像，代码区始终从地址0x0000 0000开始(通过ICode和DCode总线访问)，而数据区 (SRAM) 始终从地址0x2000 0000开始(通过系统总线访问)。Cortex-M3的CPU始终从ICode总线获取复位向量，即启动仅适合于从代码区开始(典型地从Flash启动)。STM32F10xxx微控制器实现了一个特殊的机制，系统可以不仅仅从Flash存储器或系统存储器启动，还可以从内置SRAM启动。

二、 内置SRAM简介

一般情况下，我们在MDK 中编写工程应用后，调试时都是把程序下载到芯片的内部FLASH 运行测试的，代码的CODE 及RW-data 的内容被写入到内部FLASH中存储。但在某些应用场合下却不希望或不能修改内部FLASH 的内容，这时就可以使用RAM 调试功能了，它的本质是把原来存储在内部FLASH 的代码(CODE 及RW-data 的内容)改为存储到SRAM中(内部SRAM或外部SDRAM均可)，芯片复位后从SRAM中加载代码并运行。

STM32F10xxx内置64K字节的静态SRAM。它可以以字节、半字(16位)或全字(32位)访问。SRAM的起始地址是0x2000 0000。

把代码下载到RAM中调试有如下优点：
下载程序非常快。RAM 存储器的写入速度比在内部FLASH 中要快得多，且没有擦除过程，因此在RAM上调试程序时程序几乎是秒下的，对于需要频繁改动代码的调试过程，能节约很多时间，省去了烦人的擦除与写入FLASH 过程。另外，STM32 的内部FLASH 可擦除次数为1 万次，虽然一般的调试过程都不会擦除这么多次导致FLASH 失效，但这确实也是一个考虑使用RAM的因素。
不改写内部FLASH 的原有程序。
对于内部FLASH 被锁定的芯片，可以把解锁程序下载到RAM上，进行解锁。

相对地，把代码下载到RAM中调试有如下缺点：
存储在RAM上的程序掉电后会丢失，不能像FLASH 那样保存。
若使用STM32 的内部SRAM 存储程序，程序的执行速度与在FLASH 上执行速度无异，但SRAM空间较小。
若使用外部扩展的SRAM 存储程序，程序空间非常大，但STM32读取外部SRAM 的速度比读取内部FLASH 慢，这会导致程序总执行时间增加，因此在外部SRAM中调试的程序无法完美仿真在内部FLASH 运行时的环境。另外，由于STM32 无法直接从外部SRAM中启动且应用程序复制到外部SRAM的过程比较复杂(下载程序前需要使STM32 能正常控制外部SRAM)，所以在很少会在STM32 的外部SRAM中调试程序。

三、 例程验证

具体实验步骤参考《零死角玩转STM32——F103指南者》44.4实验：在内部SRAM 中调试

1、硬件设置
将跳线设置为BOOT[1:1]

2、创建工程调试版本

3、配置分散加载文件

; *************************************************************
; *** Scatter-Loading Description File generated by uVision ***
; *************************************************************

LR_IROM1 0x08000000 0x00080000  {    ; load region size_region
  ER_IROM1 0x08000000 0x00080000  {  ; load address = execution address
   *.o (RESET, +First)
   *(InRoot$$Sections)
   .ANY (+RO)
   .ANY (+XO)
  }
  RW_IRAM1 0x20000000 0x00010000  {  ; RW data
   .ANY (+RW +ZI)
  }
}

4、配置中断向量表

void SystemInit (void)
{
 /* ..其它代码部分省略 */
 
/* 配置向量表添加的偏移地址 ----*/

#ifdef VECT_TAB_SRAM
  SCB->VTOR = SRAM_BASE | VECT_TAB_OFFSET; /* Vector Table Relocation in Internal SRAM. */
#else
  SCB->VTOR = FLASH_BASE | VECT_TAB_OFFSET; /* Vector Table Relocation in Internal FLASH. */
#endif 
}

5、修改FLASH 下载配置

6、实验结果